[发明专利]通过防潮层实现的基于聚合物的电容器的可靠性改进有效
申请号: | 201580060230.X | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN107078024B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | H·郭;T·A·泰勒;J·A·韦斯特;R·A·杰克逊;B·威廉姆斯 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/033;H01L51/05;H01L51/56 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵志刚;赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 防潮 实现 基于 聚合物 电容器 可靠性 改进 | ||
1.一种微电子器件,其包括:
无机材料的衬底;
电容器,其包括:第一板,其设置在所述衬底上方;第二板,其设置在所述衬底上方;以及电容器电介质,其包括设置在所述第一板与所述第二板之间的有机聚合物材料以及无机电介质材料;以及
防潮层,其设置在所述电容器上方,所述防潮层包括具有非晶态显微结构的氧化铝层,其中所述防潮层延伸到所述第二板的水平表面上方,延伸到延伸超过所述第二板的所述有机聚合物材料的水平表面上方,延伸到延伸超过所述有机聚合物材料的所述无机电介质材料的水平表面上方。
2.根据权利要求1所述的微电子器件,所述有机聚合物材料包括聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的微电子器件,所述有机聚合物材料包括聚苯并恶唑即PBO。
4.根据权利要求1所述的微电子器件,其包括设置在所述防潮层上方的保护层,所述保护层包括基于二氧化硅的电介质材料。
5.根据权利要求1所述的微电子器件,所述防潮层包括多个交替的具有非晶态显微结构的氧化铝层和电介质材料层。
6.根据权利要求1所述的微电子器件,所述防潮层延伸到所述无机电介质材料上。
7.根据权利要求1所述的微电子器件,所述防潮层延伸到所述衬底上。
8.根据权利要求1所述的微电子器件,所述微电子器件包括焊盘,所述焊盘电连接到所述第二板,所述防潮层部分地在所述焊盘上方延伸。
9.根据权利要求1所述的微电子器件,所述微电子器件包括电介质材料的外涂层,所述外涂层设置在所述电容器上方并且在所述防潮层下方。
10.根据权利要求1所述的微电子器件,所述防潮层设置在至少形成所述微电子器件的封装件的一部分的塑料包封材料下方。
11.根据权利要求1所述的微电子器件,所述防潮层设置在至少形成所述微电子器件的封装件的一部分的塑料包封材料外部。
12.一种形成微电子器件的方法,其包括:
提供无机材料的衬底;
形成所述微电子器件的电容器,包括:在所述衬底上方形成第一板;在所述衬底上方形成第二板;以及形成电容器电介质,所述电容器电介质包括在所述第一板与所述第二板之间的有机聚合物材料以及无机电介质材料,其中所述有机聚合物材料延伸超过所述第二板的边缘并且所述无机电介质材料延伸超过所述有机聚合物材料的边缘;以及
在所述电容器上方形成防潮层,包括通过原子层沉积过程即ALD过程形成氧化铝层。
13.根据权利要求12所述的方法,所述有机聚合物材料包括聚酰亚胺。
14.根据权利要求12所述的方法,所述有机聚合物材料包括PBO。
15.根据权利要求12所述的方法,其中形成所述防潮层包括形成多个交替的通过ALD过程形成的氧化铝层和电介质材料层。
16.根据权利要求12所述的方法,其包括在所述防潮层上方形成保护层,所述保护层包括基于二氧化硅的电介质材料。
17.根据权利要求12所述的方法,其包括在形成所述防潮层之前烘干所述电容器电介质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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