[发明专利]电压补偿的开关堆叠

权利要求书

1.一种射频开关装置，包括：

地平面；

与所述地平面相关地布置的堆叠，所述堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件；以及

多个电容元件，每个电容元件具有相应的电容值并且每个相应的电容元件提供跨相应的开关元件的相应端子的相应的电容路径，并且所述多个电容元件的每个相应的电容值跨所述堆叠单调增加或者减少。

2.如权利要求1所述的射频开关装置，其中，所述多个开关元件包含场效应晶体管，其中，至少一些所述场效应晶体管的每一个场效应晶体管的源极与一个或者多个相邻的场效应晶体管的漏极耦合。

3.如权利要求1所述的射频开关装置，其中，所述多个开关元件包含场效应晶体管、双极结型晶体管、GaAs晶体管、二极管以及微机电器件中的至少一个。

4.如权利要求1所述的射频开关装置，其中，所述地平面包括至少部分半导体基底。

5.如权利要求1所述的射频开关装置，其中，所述多个电容元件中的至少一些利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成。

6.如权利要求1所述的射频开关装置，其中，所述多个电容元件中的至少一些中的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

7.一种射频开关模块，包括：

封装基底，被配置为容纳多个组件；

地平面，被布置在所述封装基底的第一侧上；

与地平面相关地布置在所述封装基底的第二侧上的堆叠，所述堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件；以及

多个电容元件，每个电容元件具有相应的电容值并且每个相应的电容元件提供跨相应的开关元件的相应端子的相应的电容路径，并且所述多个电容元件的每个相应的电容值跨所述堆叠单调增加或者减少。

8.如权利要求7所述的射频开关模块，其中，所述多个开关元件包含场效应晶体管、双极结型晶体管、GaAs晶体管、二极管以及微机电器件中的至少一个。

9.如权利要求7所述的射频开关模块，其中，所述地平面包括至少部分半导体基底。

10.如权利要求7所述的射频开关模块，其中，所述多个电容元件中的至少一些利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成。

11.如权利要求7所述的射频开关模块，其中，所述多个电容元件中的至少一些中的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。

12.一种射频设备，包括：

地平面；

与所述地平面相关地布置的堆叠，所述堆叠包含多个彼此串联耦合的开关元件；

多个电容元件，每个电容元件具有相应的电容值并且每个相应的电容元件提供跨相应的开关元件的相应端子的相应的电容路径，并且所述多个电容元件的每个相应的电容值跨所述堆叠单调增加或者减少；以及

通过所述堆叠耦合至收发器的天线，所述天线被配置为便于射频信号的发送或接收。

13.如权利要求12所述的射频设备，其中，所述射频设备包含无线设备。

14.如权利要求13所述的射频设备，其中，所述无线设备包含基站、中继器、蜂窝电话、智能电话、计算机和计算机外围设备中的至少一个。

15.如权利要求12所述的射频设备，其中，所述地平面包括至少部分半导体基底。

16.如权利要求12所述的射频设备，其中，所述多个电容元件中的至少一些利用半导体制造工艺中可用的附加的通孔和金属来形成。

17.如权利要求12所述的射频设备，其中，所述多个电容元件中的至少一些中的每一个电容元件在对应的被用作开关元件的场效应晶体管的漏极与源极之间提供相应的侧向电容。