[发明专利]使用加成制造工艺的具复合材料特性的CMP衬垫建构有效
申请号: | 201580060603.3 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN107078048B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | R·巴贾杰;K·克里希南;M·C·奥里拉利;D·莱德菲尔德;F·C·雷德克;N·B·帕迪班德拉;G·E·蒙柯;J·G·方;R·E·帕里;R·E·达文波特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 加成 制造 工艺 复合材料 特性 cmp 衬垫 建构 | ||
1.一种研磨垫,包含:
复合研磨衬垫主体,包含:
一个或更多个第一特征,所述一个或更多个第一特征包含第一材料组成物,所述第一材料组成物通过沉积至少两种不同聚合物前体材料的各自的液滴以顺序地形成多个第一层来形成;以及
基材层,所述基材层包含第二材料组成物,所述第二材料组成物通过沉积至少两种不同聚合物前体材料的各自的液滴以顺序地形成多个第二层来形成,其中,所述第一材料组成物包括第一硬度,且所述第二材料组成物包括不同于所述第一硬度的第二硬度,
所述一个或更多个第一特征自所述基材层延伸,且
所述一个或更多个第一特征中的每一个特征的表面形成所述研磨垫的研磨表面。
2.如权利要求1所述的研磨垫,其中用于形成所述第一材料组成物的所述至少两种不同聚合物前体材料和用于形成所述第二材料组成物的所述至少两种不同聚合物前体材料各自包括第一聚合物前体材料和第二聚合物前体材料,且用于形成所述一个或更多个第一特征的所述第一聚合物前体材料与所述第二聚合物前体材料的比率不同于用于形成所述基材层的所述第一聚合物前体材料与所述第二聚合物前体材料的比率。
3.如权利要求1所述的研磨垫,其中所述第一硬度比所述第二硬度大。
4.如权利要求1所述的研磨垫,其中布置所述一个或更多个第一特征及所述基材层以在整个所述复合研磨衬垫主体上实现预定的杨氏模量、预定的存储模量或预定的损耗模量。
5.如权利要求1所述的研磨垫,其中所述多个第一层中的每一层通过在用于将为后续形成的第一层的液滴被沉积在所沉积的液滴上之前使用UV辐射对所沉积的液滴进行聚合来形成。
6.如权利要求1所述的研磨垫,进一步包含一个或更多个观察窗,其中所述一个或更多个观察窗是穿过和/或邻接所述一个或更多个第一特征或所述基材层而形成的。
7.一种研磨垫,包含:
复合研磨衬垫主体,包含:
由第一材料形成的一个或更多个第一特征,其中所述一个或更多个第一特征的表面形成研磨表面,所述第一材料具有第一硬度,且所述第一材料由沉积的至少两种不同聚合物前体材料的液滴形成;以及
由第二材料形成的基材层,其中所述第二材料具有比所述第一硬度小的第二硬度,且所述第二材料由沉积的至少两种不同聚合物前体材料的液滴形成,且
其中所述一个或更多个第一特征自所述基材层延伸。
8.如权利要求7所述的研磨垫,其中所述一个或更多个第一特征和所述基材层通过沉积包含所述第一材料和所述第二材料的多个层来形成。
9.如权利要求7所述的研磨垫,其中布置所述一个或更多个第一特征和所述基材层以在整个所述复合研磨衬垫主体上实现预定的杨氏模量、预定的存储模量或损耗模量。
10.如权利要求7所述的研磨垫,其中所述一个或更多个第一特征和所述基材层通过打印形成。
11.如权利要求7所述的研磨垫,进一步包含一个或更多个观察窗,其中所述一个或更多个观察窗是穿过和/或邻接所述一个或更多个第一特征或所述基材层而形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造