[发明专利]金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜包含β-MoO₃，该β-MoO₃展现出单斜β-MoO₃晶体结构，并且包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素，其中该组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素的总掺杂含量x在0x≤10原子％之间。

2.如权利要求1所述的金属氧化物薄膜，其特征在于该组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素的总掺杂含量x在1≤x≤3原子％之间。

3.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于该掺杂元素为Re。

4.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜具有10⁴Ω·cm以下的电阻率。

5.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜具有10³Ω·cm以下的电阻率。

6.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜具有10²Ω·cm以下的电阻率。

7.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜对可见范围内的光具有大于90％的固有光学透射率。

8.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜具有1.5至2之间的折射率。

9.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜具有50至250nm之间的厚度。

10.如权利要求1至2中任意一项所述的金属氧化物薄膜，其特征在于所述金属氧化物薄膜具有1至15nm之间的厚度。

11.一种制造金属氧化物薄膜的方法，其特征在于其包含以下步骤：

-提供基板，

-提供包含Mo的靶且提供包含组Re、Mn及Ru中的至少一种元素的靶，或者提供包含Mo及组Re、Mn及Ru中的至少一种元素的靶，

-视情况在包含至多40体积％O₂的惰性气体氛围中溅射所述靶，从而形成包含β-MoO₃的金属氧化物薄膜，其中该β-MoO₃展现出单斜β-MoO₃晶体结构，并且包含组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素，其中溅射在300℃以下的基板温度下进行；以及

-退火，

其中该组Re、Mn及Ru中的至少一种掺杂元素的总掺杂含量在0x≤10原子％之间。

12.一种薄膜装置，该薄膜装置包含至少一种如权利要求1至10中之一所述的金属氧化物薄膜。

13.如权利要求12所述的薄膜装置，其特征在于所述薄膜装置进一步包含玻璃或聚合物基板。

14.一种如权利要求1至10中之一所述的金属氧化物薄膜的用途，其用于电致变色窗。

15.一种如权利要求1至10中之一所述的金属氧化物薄膜的用途，其用于触摸面板。