[发明专利]使用纳米柱阵列的低至纳米尺度的实体的连续流式的基于大小的分离

权利要求书

1.一种用于分选的方法，所述方法包括：

将实体引入到纳米柱阵列中，所述实体包括第一群体和第二群体，其中所述纳米柱阵列包括有序布置的纳米柱，所述纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙，并且其中所述纳米柱被排序为相对于流体流动方向具有阵列角；

通过在第一方向上输送小于预定大小的所述实体的第一群体以及通过在与所述第一方向不同的第二方向上输送至少为所述预定大小的所述实体的第二群体，来通过所述纳米柱阵列对所述实体进行分选；

其中所述纳米柱阵列被配置为采用具有小于300纳米的间隙大小的所述间隙以分选具有亚100纳米大小的所述实体；以及

其中通过氧化物层填充纳米柱中心处的腔，从而所述氧化物层被配置为使得所述间隙的间隙大小在所述纳米柱之间是均匀的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中当所述实体具有等于或者大于7纳米的纳米大小时，所述纳米柱阵列被配置为对具有等于或者大于7纳米的纳米大小的所述实体进行分选。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当所述实体具有等于或者大于7纳米的纳米大小时，所述间隙大小被配置为对具有等于或者大于7纳米的纳米大小的所述实体进行分选。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隙大小的下限为20纳米。

5.根据权利要求4所述的方法，其中施加至所述纳米柱阵列的氧化物层的厚度使得所述间隙的间隙大小为20纳米，同时所述间隙保持均匀。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隙的间隙大小被调整为在所述第一方向上分选小于所述预定大小的所述实体的第一群体，同时在所述第二方向上分选至少为所述预定大小的所述实体的第二群体；

其中调整所述间隙大小是基于施加至所述纳米柱阵列的氧化物层的厚度的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中进一步调整所述间隙大小是基于通过化学改性施加至所述纳米柱的单层的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中化学改性在所述纳米柱上形成单层，使得所述第一群体对所述单层具有亲和力而所述第二群体对所述单层没有亲和力；

其中对所述单层具有亲和力引导所述实体的第一群体在所述第一方向上输送。

9.根据权利要求1所述的方法，

所述方法包括基于分选接收所述实体；

其中所述间隙的间隙大小被调整为在所述第一方向上分选所述第一群体以及在所述第二方向上分选所述第二群体，根据所述纳米柱阵列上设置的氧化物层的厚度和对所述间隙的化学改性中的至少一个调整所述间隙大小。

10.根据权利要求9所述的方法，其中当通过所述氧化物层调整所述间隙大小时，所述氧化物层将所述间隙大小减小至第一尺寸。

11.根据权利要求10所述的方法，其中当通过所述化学改性调整所述间隙大小时，所述化学改性将所述间隙大小进一步减小至第二尺寸；以及

其中所述第二尺寸小于所述第一尺寸。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一尺寸对应于所述氧化物层将所述间隙大小减小至20纳米同时所述间隙保持均匀。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二尺寸对应于所述化学改性将所述间隙大小减小至低于20纳米。

14.根据权利要求9所述的方法，其中当通过所述化学改性调整所述间隙大小时，所述化学改性将所述间隙大小减小至第一尺寸。