[发明专利]具有优化的混合漏极接触的场效应晶体管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201580060895.0 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN107078153A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: S·德拉热;B·卡内兹;R·奥布里;O·雅德尔;N·米歇尔;M·瓦利 申请(专利权)人: 泰勒斯公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/812
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 法国库*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 优化 混合 接触 场效应 晶体管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管,所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极,所述源极接触和漏极接触能够在沟道区域中形成电荷载流子流,所述流受到所述栅极控制,其特征在于:

-所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(CD oh)和一个基本肖特基漏极接触(CD sch)的混合漏极接触,所述混合漏极接触与所述半导体结构齐平;

-所述基本肖特基漏极接触(CD sch)部分或完全重叠所述基本欧姆漏极接触(CD oh)。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管,其特征在于,源极接触是包括至少一个基本欧姆源极接触(CS oh)和一个基本肖特基源极接触(CS sch)混合接触。

3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管,其特征在于,所述基本肖特基漏极接触(CD sch)和/或基本肖特基源极接触(CS sch)与基本欧姆漏极接触(CD oh)和/或基本欧姆源极接触(CS oh)部分地重叠。

4.根据权利要求1或3所述的场效应晶体管,其特征在于,所述栅极包括肖特基类型的接触:金属/导体。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的场效应晶体管,其特征在于,所述栅极具有复杂形式,包括:

-所谓的底部部分,其被称为栅极脚,其与包括沟道区域的半导体结构相接触,并具有第一截面;

-第二所谓的顶部部分,其被称为栅极帽,其与所述底部部分相接触,并具有第二截面;

-所述第一截面小于所述第二截面。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的场效应晶体管,其特征在于,半导体结构包括成组的III-V材料的层,所述III-V材料中的至少两种材料展现出不同的禁带,最大的禁带用于限制最小的禁带中的自由载流子。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的场效应晶体管,其特征在于,其包括覆盖源极接触和/或漏极接触和/或栅极的电介质层。

8.根据权利要求7所述的场效应晶体管,其特征在于,其包括在所述栅极的水平位于所述电介质上的金属场板。

9.一种包括成组的场效应晶体管的元件,其包括多个根据权利要求1至8中的任一项所述的晶体管的子集:

-晶体管(STi)的子集的特征为:对于所述子集的晶体管中的每个,栅极和混合漏极接触之间的宽度(LiG-D)以及所述栅极和所述混合漏极接触的基本欧姆接触之间的宽度(Li G-CD oh);

-从一个子集到另一个子集,所述栅极和混合漏极接触之间的宽度(LiG-D)是不同的;

-从一个子集到另一个子集,所述栅极和所述混合漏极接触的基本欧姆接触之间的宽度(LiG-CD oh)是相同的。

10.一种用于制造根据权利要求1至8中的任一项所述的场效应晶体管的至少一个的方法,其特征在于,其包括以下步骤:

-在半导体结构的表面上制造至少一个基本欧姆源极接触(CS oh)和一个基本欧姆连续漏极接触(CD oh);

-制造栅极;

-制造至少一个基本肖特基漏极接触(CD sch),从而制造包括至少一个基本欧姆接触(CD oh)和一个基本肖特基接触(CD sch)的混合漏极接触。

11.根据权利要求10所述的用于制造场效应晶体管的方法,其特征在于,其包括制造基本肖特基源极接触(CS sch),从而制造包括至少一个基本欧姆接触(CS oh)和一个基本肖特基接触(CS sch)的混合源极接触。

12.根据权利要求11所述的用于制造场效应晶体管的方法,其特征在于,通过分别与相关的所述基本欧姆漏极接触和/或源极接触部分重叠而进行基本肖特基漏极接触和/或源极接触的制造。

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