[发明专利]用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法有效
| 申请号： | 201580060899.9 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107078190B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 韩重;张成 | 申请（专利权）人： | 耶鲁大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 gan 垂直 微腔面 发射 激光器 vcsel 方法 | ||
1.一种多孔氮化镓层，其超过70％的孔具有小于100nm的最大横向宽度，以及具有大于10％的体积孔隙率，
其中所述孔包括布置在至少两个相邻的、垂直隔开的横向孔的排中的横向孔。
2.根据权利要求1所述的多孔氮化镓层，其中超过90％的孔具有小于100nm的最大横向宽度。
3.根据权利要求1所述的多孔氮化镓层，其中所述氮化镓层的超过一半的孔具有30nm至90nm的最大横向宽度。
4.根据权利要求1所述的多孔氮化镓层，其中所述氮化镓层的超过70％的孔具有30nm至90nm的最大横向宽度。
5.根据权利要求1所述的多孔氮化镓层，其中所述孔具有均方根表面粗糙度小于10nm的壁。
6.根据权利要求1所述的多孔氮化镓层，其中所述多孔氮化镓层的n型掺杂密度为5×1019cm-3至2×1020cm-3。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多孔氮化镓层，其中所述多孔氮化镓层中用于n型掺杂的掺杂剂是锗。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的多孔氮化镓层，其中所述体积孔隙率大于60％。
9.根据权利要求7所述的多孔氮化镓层，其包括在分布式布拉格反射器中。
10.根据权利要求9所述的多孔氮化镓层，其包括在垂直腔面发射激光器中。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的多孔氮化镓层，其包括在发光二极管中。
12.根据权利要求1至6中任一项所述的多孔氮化镓层，其包括在电极中。
13.一种半导体发光器件，其包括：
至少一个埋置的多孔氮化镓层，其中所述至少一个埋置的多孔氮化镓层的超过70％的孔具有小于100nm的最大横向宽度，所述至少一个埋置的多孔氮化镓层具有大于10％的体积孔隙率，
其中所述孔包括布置在至少两个相邻的、垂直隔开的横向孔的排中的横向孔。
14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述至少一个埋置的多孔氮化镓层的超过70％的孔具有30nm至90nm的最大横向宽度。
15.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中所述至少一个埋置的多孔氮化镓层包括非多孔氮化镓层所分隔的设置在第一分布式布拉格反射器中的多个多孔氮化镓层。
16.根据权利要求15所述的半导体发光器件，其中所述多个多孔氮化镓层包括位于所述第一分布式布拉格反射器中央的形成非多孔氮化镓的柱的非多孔区域。
17.根据权利要求15或权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述第一分布式布拉格反射器设置为垂直腔面发射激光器的n侧反射器。
18.根据权利要求17所述的半导体发光器件，其中所述第一分布式布拉格反射器对于所述垂直腔面发射激光器的激射波长具有大于99％的反射率。
19.根据权利要求18所述的半导体发光器件，其中所述第一分布式布拉格反射器在大于20nm的带宽上具有大于98％的反射率值。
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