[发明专利]密封用片以及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及密封用片以及半导体装置。

背景技术

以往，作为半导体装置的制造方法，已知有如下方法：在将固定于基板等上的一个或多个半导体芯片用密封树脂密封后，将密封体切割为半导体装置单元的封装件。作为这样的密封树脂，例如已知有由热固性树脂构成的密封用片(例如，参照专利文献1)。

另一方面，近年来，倾向于越来越推进半导体装置的小型化、布线的微细化，必须要在狭窄的半导体芯片区域(俯视下透视半导体芯片的情况下，与半导体芯片重合的区域)中配置更多的I/O焊盘、通孔，同时引脚密度也升高。此外，在BGA(球栅阵列，Ball Grid Array)封装件中，在半导体芯片区域内形成大量端子，用于形成其它要素的区域受限，因此，采用在半导体封装基板上从端子引出布线到半导体芯片区域的外侧的方法。如此制造的半导体封装件被称为FOWLP(扇出晶片级封装件)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-19714号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在FOWLP的制造中，用密封树脂将半导体芯片密封后，使半导体芯片的电路形成面露出，在该电路形成面上形成布线(再布线形成工序)。在该再布线形成工序中，使用各种类型的有机溶剂。

但是，对于现有的密封树脂而言，有时在再布线形成工序中的有机溶剂中有树脂溶出。因此，密封树脂的表面变粗糙，有时难以遍及密封树脂面和半导体芯单面而均匀地形成再布线层。另外，存在如下问题：再布线工序中使用的有机溶剂因溶出的密封树脂而降低，对品质带来影响。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够用于制造品质和可靠性进一步提高的半导体装置的密封用片。另外，目的在于提供一种使用该密封用片而制造的半导体装置。

用于解决问题的手段

本发明人发现通过采用下述构成能够解决上述问题，从而完成了本发明。

即，本发明是一种密封用片，其特征在于，

使用在150℃进行1小时热处理后的样品，在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸渍3000秒钟前后的重量变化在以热处理后为基准的情况下为1重量％以下。

根据本发明涉及的密封用片，在热处理后，充分地抑制了向N-甲基-2-吡咯烷酮的溶出。在再布线工序中，使用各种各样的有机溶剂，其中，密封用片的溶出量增多的有机溶剂是N-甲基-2-吡咯烷酮。因此，如果抑制了向N-甲基-2-吡咯烷酮的溶出，则也抑制了向其它有机溶剂的溶出。其结果是，如果使用该密封用片，则能够制造可使再布线层的形成变得均匀等品质和可靠性进一步提高的半导体装置。另外，向有机溶剂的溶出量少，因此，能够抑制有机溶剂的纯度的降低。其结果是能够降低有机溶剂的更换频率。

在上述构成中，包含热固性材料和无机系化合物，上述热固性材料和上述无机系化合物的总含量优选为整体的95重量％以上。

热固性材料如果通过基于热处理的热固化进行交联，则不易在有机溶剂中溶出。另外，无机系化合物在有机溶剂不易溶出。因此，如果上述热固性材料和上述无机系化合物的总含量为整体的95重量％以上，则在有机溶剂中易溶出的成分少。其结果是，如果使用该密封用片，则能够制造品质和可靠性进一步提高的半导体装置。

在本说明书中，“热固性材料”是指参与热固化的材料，是指掺入到基于热固化的交联结构的材料。即，具有官能团且掺入到基于热固化的交联结构的热塑性树脂(例如，具有官能团的丙烯酸类树脂)包含在“热固性材料”中。但是，即使是具有官能团且掺入到基于热固化的交联结构的热塑性树脂，官能团含量(单体单元的含量)小于10％的热塑性树脂(例如，官能团含量小于10％的丙烯酸类树脂)也几乎无助于交联结构，因此，不包含在“热固性材料”中。

发明效果

根据本发明，可以提供能够用于制造品质和可靠性进一步提高的半导体装置的密封用片。

附图说明

图1是本实施方式涉及的密封用片的截面示意图。

图2是用于说明本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图3是用于说明本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图4是用于说明本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图5是用于说明本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的截面示意图。

图6是用于说明本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的截面示意图。