[发明专利]低电压、高度精确的电流镜

权利要求书

1.一种电流镜，包括：

第一对晶体管；

第二对晶体管，与所述第一对晶体管共源共栅；

切换网络，耦合到所述第二对晶体管；

第三对晶体管，耦合到所述切换网络，其中所述第一对晶体管与所述第二对晶体管之间的输入节点被配置为接收用于所述电流镜的输入电流，并且其中所述第一对晶体管中的晶体管的端子被配置为汇集用于所述电流镜的输出电流，所述输出电流与所述输入电流成比例；以及

电流源，被配置为将偏置电流供应给所述第一对晶体管中的另一晶体管。

2.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述切换网络被配置为周期性地交换所述第二对晶体管与所述第三对晶体管之间的连接。

3.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述切换网络包括动态元件匹配(DEM)电路。

4.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述第一对晶体管中的所述另一晶体管的漏极耦合到所述电流源并且耦合到所述第三对晶体管的栅极。

5.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述偏置电流与所述输入电流相比是可忽略的。

6.根据权利要求1所述的电流镜，进一步包括源极跟随器，所述源极跟随器耦合至所述电流源并且耦合至所述第一对晶体管中的所述另一晶体管。

7.根据权利要求6所述的电流镜，其中：

所述源极跟随器包括第一晶体管和与所述第一晶体管共源共栅的第二晶体管；

所述第一晶体管的栅极耦合至所述电流源并且耦合至所述第一对晶体管中的所述另一晶体管的漏极；以及

所述第一晶体管的源极耦合至所述第二晶体管的漏极或所述第二晶体管的栅极中的至少一个。

8.根据权利要求7所述的电流镜，其中所述源极跟随器进一步包括下列中的至少一个：

第一电容器，连接在所述第一晶体管的所述栅极与所述第一晶体管的所述源极之间；或者

第二电容器，连接在所述第一晶体管的所述栅极与所述第一对晶体管中的所述另一晶体管的源极之间，其中所述第一对晶体管中的所述另一晶体管的所述源极耦合至所述输入节点。

9.根据权利要求7所述的电流镜，其中所述第二晶体管的所述栅极耦合至所述第三对晶体管的栅极。

10.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述第一对晶体管中的所述另一晶体管的源极耦合至所述输入节点，并且其中所述第一对晶体管中的所述晶体管的漏极耦合至所述电流镜的输出节点。

11.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述电流源耦合至第一供电节点，并且其中所述第三对晶体管耦合至第二供电节点，所述第二供电节点具有比所述第一供电节点低的电压。

12.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述电流镜的所述输入电流与所述电流镜的所述输出电流之间的比是15:1。

13.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述第二对晶体管中的晶体管将所述输入节点与所述切换网络分离。

14.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述输入节点、所述第二对晶体管、所述切换网络、以及所述第三对晶体管在低电压域中操作，并且其中所述电流镜的输出节点和所述第一对晶体管在高电压域中操作。

15.根据权利要求14所述的电流镜，其中所述第二对晶体管被配置为减少所述低电压域与所述高电压域之间的电荷共享。