[发明专利]具有单步氟凹槽与外包覆的光纤预成形件的制造方法

权利要求书

1.一种用于形成光纤预成形件的方法，所述方法包括：

在饵棒上沉积基于二氧化硅的烟炱以形成低折射率凹槽区域，其中，所述基于二氧化硅的烟炱的沉积使得所述凹槽区域具有第一密度；

绕着所述凹槽区域形成包含二氧化硅的内阻隔层，其中，所述内阻隔层具有大于所述第一密度的第二密度；

绕着所述第一阻隔层沉积基于二氧化硅的烟炱，以形成具有第三密度的光纤预成形件的外包覆区域，其中，所述第二密度大于所述第三密度；

从凹槽-外包覆结构的中心通道去除所述饵棒，所述凹槽-外包覆结构包括所述凹槽区域、所述内阻隔层和所述外包覆区域；

在去除所述饵棒的步骤之后，将芯棒插入所述凹槽-外包覆结构的所述中心通道中；

在所述外包覆区域的外部部分中形成包含二氧化硅的外阻隔层，其中，所述外阻隔层具有大于所述第三密度的第四密度；

在插入所述芯棒的步骤之后，使含负掺杂剂的气体流动通过所述凹槽-外包覆结构的所述中心通道，其中，对所述凹槽-外包覆结构进行充分加热，从而用所述负掺杂剂掺杂所述凹槽区域，以及其中，所述阻隔层减轻了所述负掺杂剂扩散进入所述外包覆区域；以及

在将所述芯棒插入所述光纤预成形件的步骤之后，对所述凹槽-外包覆结构和所述芯棒进行固结。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成外阻隔层的步骤之前，进行去除饵棒和插入芯棒的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成外阻隔层的步骤之后，进行去除饵棒和插入芯棒的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述负掺杂剂是氟，以及所述含负掺杂剂的气体包括CF₄和SiF₄中的一个或两个。

5.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

从所述光纤预成形件拉制单模或多模光纤。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内阻隔层的所述第二密度和所述外阻隔层的所述第四密度大于约1.5g/cm³。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内阻隔层的所述第二密度和所述外阻隔层的所述第四密度大于约1.75g/cm³。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内阻隔层的所述第二密度和所述外阻隔层的所述第四密度大于约2g/cm³。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内阻隔层和外阻隔层分别具有范围约为10-700微米的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以火琢过程进行形成外阻隔层的步骤，其包括：从靠近或接近所述外包覆区域的燃烧器引导含火焰的二氧化硅颗粒，所述燃烧器配置成以小于或等于约1cm/s相对于所述凹槽-外包覆结构横向移动。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以火琢过程进行形成外阻隔层的步骤，其包括：从靠近或接近所述外包覆区域的燃烧器引导含火焰的二氧化硅颗粒，所述燃烧器配置成以小于或等于约0.5cm/s相对于所述凹槽-外包覆结构横向移动。