[发明专利]触点环绕结构

说明书

一种半导体器件包括栅极堆叠。该半导体器件还包括环绕触点，该环绕触点被安排成围绕以及接触半导体器件的紧邻栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。

相关申请的交叉引用

本申请依据35 U.S.C.§ 119(e)要求于2014年11月24日以Jeffrey Junhao XU等人的名义提交的题为“CONTACT WRAP AROUND STRUCTURE(触点环绕结构)”的美国临时专利申请号62/083,714的权益，其公开内容通过援引全部明确纳入于此。

背景

领域

本公开的诸方面涉及半导体器件，并且尤其涉及触点环绕结构。

背景

随着集成电路(IC)技术的进步，器件的几何形状减小。减小器件之间的几何形状和“间距”(间隔)可使得器件在正确的操作方面相互干扰。

基于鳍的器件是半导体基板的表面上的三维结构。基于鳍的晶体管(其可以是基于鳍的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))可被称为FinFET。纳米导线场效应晶体管(FET)也是半导体基板的表面上的三维结构。纳米导线FET包括纳米导线的掺杂部分，该掺杂部分接触沟道区并且用作该器件的源极和漏极区。纳米导线FET也是MOSFET器件的示例。

MOSFET器件的性能可受到包括沟道长度、应变和外部电阻在内的众多因素影响。对外部电阻作出贡献的一个重要因素是源极/漏极区与导电层之间的接触电阻。接触电阻是先进技术节点(其中器件之间的几何形状和“间距”(间隔)大为减小)的器件性能和缩放的限制器。

概览

半导体器件包括栅极堆叠。半导体器件还包括环绕触点，该环绕触点安排成围绕以及接触半导体器件的紧邻栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。

一种用于制造包括触点环绕结构的半导体器件的方法，包括：将半导体器件的源极/漏极区进行重新生长。该方法还包括用栅极堆叠来替代半导体器件的虚设栅极。该方法可进一步包括制造环绕触点，该环绕触点安排成围绕以及接触半导体器件的紧邻栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域。

半导体器件包括栅极堆叠。半导体器件还包括用于接触半导体器件的紧邻栅极堆叠的经重新生长的源极/漏极区的基本上所有表面区域的装置。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应该领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。

附图简述

为了更全面地理解本公开的一方面，现在结合附图参阅以下描述。

图1解说了本公开的一方面中的半导体晶片的立体视图。

图2解说了根据本公开的一方面的管芯的横截面视图。

图3解说了本公开的一方面中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的横截面视图。

图4解说了根据本公开的一方面的鳍式场效应晶体管(FinFET)。

图5A和5B解说了包括常规触点结构的基于鳍的结构的横截面视图。

图6解说了根据本公开的一方面的包括环绕触点的基于鳍的结构的横截面视图。