[发明专利]碳化硅基板处理方法有效
| 申请号： | 201580062667.7 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004585B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 矢吹纪人;鸟见聪;野上晓 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/302;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 处理 方法 | ||
1.一种碳化硅基板处理方法，其特征在于：
通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板的离子活化处理，一边蚀刻所述碳化硅基板的表面的外延层一边使注入于所述碳化硅基板的离子活化，其中该碳化硅基板在表面具有单晶SiC的外延层，且在该表面的所述外延层形成有注入离子的离子注入区域，且在至少包含该离子注入区域的部分形成有沟槽。
2.根据权利要求1所述的碳化硅基板处理方法，其中，形成于所述碳化硅基板的沟槽，是用以分离该碳化硅基板的沟槽。
3.根据权利要求1所述的碳化硅基板处理方法，其中，在所述离子活化处理之前进行对碳化硅基板注入离子的离子注入处理，该碳化硅基板在表面具有单晶SiC的外延层，且至少在该外延层形成有沟槽。
4.根据权利要求1所述的碳化硅基板处理方法，其中，所述离子活化处理，是在Si及惰性气体环境下进行，且压力为10Pa以上且100kPa以下。
5.根据权利要求1所述的碳化硅基板处理方法，其中，所述离子活化处理，是在10-7Pa以上且10-2Pa以下进行。
6.根据权利要求1所述的碳化硅基板处理方法，其中，所述离子活化处理，是在Si及惰性气体环境下进行，且压力为10-2Pa以上且10Pa以下。
7.根据权利要求1所述的碳化硅基板处理方法，其中，所述离子活化处理，是在使所述碳化硅基板位于加热处理容器的内部空间的状态下进行，
所述加热处理容器包含钽金属，且在比该钽金属靠所述内部空间侧设置有碳化钽层，在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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