[发明专利]太阳能电池的制造方法及太阳能电池

说明书

本发明涉及太阳能电池的制造方法及太阳能电池。所述制造方法包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；及在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极第2工序。在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层中的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。

技术领域

本发明涉及具有选择发射极构造的太阳能电池的制造方法及太阳能电池。

背景技术

在结晶系硅太阳能电池单元中，为了提高光电转换效率，利用有选择发射极构造。选择发射极构造是在形成于硅基板的杂质的扩散区域在与电极连接的区域以比受光部高的浓度形成有表面杂质浓度的构造。在选择发射极构造中，硅基板与电极的接触电阻降低。进而，通过使受光部的杂质扩散浓度变低，能够抑制受光部处的载流子的复合，实现光电转换效率的提高。

一般作为形成选择发射极构造的方法，在专利文献1中公开有如下方法：通过丝网印刷法将糊等涂布在半导体基板上，在受光面侧选择性地形成以高浓度扩散有硼等的杂质的扩散层。另外，作为其它方法，在专利文献2中公开有利用离子注入法而形成发射极层的方法。

专利文献1：日本特开2010－56465号公报

专利文献2：日本特开2013－128095号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在上述专利文献1所记载的形成太阳能电池的方法中，为了使扩散有硼的杂质扩散区域与金属电极的设计掩模图案的对齐容易，需要扩大使硼扩散的面积。在高浓度的杂质扩散区域，能够提高由于电场效应而有助于发电的少数载流子的接合界面处的钝化效果。另一方面，在杂质扩散区域内由太阳光所生成的载流子在高浓度的杂质扩散区域复合而不有助于光电转换。

在得到接合界面处的电场所产生的钝化效果、及减少欧姆接触电阻方面,在使高浓度的杂质扩散区域狭窄化的情况下，有时在高浓度的杂质扩散区域与金属电极的对位中产生偏差。当金属电极从高浓度的杂质扩散区域脱离时，金属电极与硅基板的接触部分处的电阻、即接触电阻变高，招致填充因子(Fill Factor：FF)的下降。另外，在未被金属电极覆盖的高浓度的杂质扩散区域，在杂质扩散区域内发生由太阳光生成的载流子的复合所引起的光电转换特性的下降。即，发生高浓度的杂质扩散区域与金属电极的位置偏差所引起的发电效率的下降。

本发明是鉴于上述内容而作出的，其目的在于实现如下的太阳能电池：在具有选择发射极构造的太阳能电池中，实现电极对于以高浓度扩散有杂质的杂质扩散层的对位精度的提高。

用于解决课题的技术方案

为了解决上述课题、实现目的，本发明包括：第1工序：在第1导电型的半导体基板的一面形成将第2导电型的杂质以第1浓度扩散的第1掺杂层及将第2导电型的杂质以比第1浓度低的第2浓度扩散且表面粗糙度与第1掺杂层不同的第2掺杂层；和第2工序：在第1掺杂层形成与第1掺杂层电连接的金属电极。特征在于，在第2工序中，基于由于第1掺杂层与第2掺杂层的表面粗糙度的差而产生的第1掺杂层与第2掺杂层的光反射率的差来检测第1掺杂层的位置，依据检测的第1掺杂层的位置来形成金属电极。

发明效果

根据本发明，起到以下的效果：得到在具有选择发射极构造的太阳能电池中实现电极对于以高浓度扩散有杂质的杂质扩散层的对位精度的提高的太阳能电池。

附图说明

图1是从与受光面对置的背面侧观察本发明的实施方式1涉及的结晶系硅太阳能电池时的仰视图。

图2是从受光面侧观察本发明的实施方式1涉及的结晶系硅太阳能电池时的俯视图。