[发明专利]光学构件、光学半导体器件和照明设备

说明书

技术领域

本发明涉及光学构件、光学半导体器件和照明设备。

背景技术

有机硅材料最近已用于(光学)电子部件诸如半导体、晶体管、集成电路(IC)和发光二极管(LED)的密封材料和覆盖材料中。然而，此类有机硅材料具有不良防污特性的问题，因为它们在表面上有粘性。

另一方面，用于降低有机硅材料表面的粘性的已知方法是用氟气处理其表面(参阅专利文献1和2)。然而，当用氟气对有机硅材料进行表面处理时，其透明度降低且其强度改变，并且尚未有研究涉及用于光学构件的具有优异防污特性、同时具有良好透光率、耐热性和强度的有机硅材料。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公布No.S64-66245A

专利文献2：日本未经审查的专利申请公布No.2005-325176A

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供包含具有优异防污特性、同时具有良好透光率、耐热性和强度的有机硅材料的光学构件，以及具有优异防污特性的光学半导体器件和照明设备。

问题的解决方案

本发明的概述如下。

(1)一种包含具有氟化表面的有机硅材料的光学构件，根据氟化表面的X射线光电子能谱学(XPS)得出的原子组成百分比计，F原子的比例为0.1至45原子％，和/或F原子相对于C原子的比率为0.01至1.00。

(2)根据(1)所述的光学构件，其中所述有机硅材料的表面已用包含至少氟气的气体进行氟化。

(3)根据(1)或(2)所述的光学构件，其中所述有机硅材料在结构中包含Si-R-Si键(其中R为亚烷基或亚芳基)。

(4)一种光学半导体器件，所述光学半导体器件由至少发光元件和密封或覆盖所述元件的光学构件构成，所述光学构件是(1)至(3)中任一项所述的光学构件。

(5)一种照明设备，所述照明设备由至少光源和从光源发出的光透射穿过其中的光学构件构成，所述光学构件是(1)至(3)中任一项所述的光学构件。

本发明的有利效果

本发明的光学构件的特征在于具有优异防污特性，同时具有良好透光率、耐热性和强度。此外，本发明的光学半导体器件和照明设备的特征在于具有优异防污特性。

附图说明

[图1]图1是作为本发明的光学半导体器件的例子的LED的剖视图。

[图2]图2是作为本发明的光学半导体器件的例子的另一个LED的剖视图。

[图3]图3是包含本发明的照明设备的部分断裂面的侧视图。

具体实施方式

现在将详细描述本发明。

光学构件

本发明的光学构件的特征在于包含具有氟化表面的有机硅材料，根据氟化表面的X射线光电子能谱学(XPS)得出的原子组成百分比计，F原子的比例为0.1至45原子％，和/或F原子相对于C原子的比率为0.01至1.00。

本发明中使用的有机硅材料不受特别限制，并且可为适用于本申请的有机硅材料。

例如，可使用由加成反应固化的有机硅材料、由缩合反应固化的有机硅材料、使用有机过氧化物由自由基反应固化的有机硅材料、热塑性有机硅材料以及可固化有机硅材料。

具体地讲，本发明的光学构件优选地包含由加成反应固化的有机硅材料，因为可实现优异的透光率、耐热性和强度。

本发明中使用的有机硅材料优选地在其结构中具有Si-R-Si键。这是因为具有这种键的有机硅材料即使当其表面已被氟化，也可以保持透明度。

在该式中，R为亚烷基或亚芳基。亚烷基的例子包括具有2至12个碳的亚烷基，诸如甲基亚甲基、亚乙基、亚丙基、甲基亚乙基、亚丁基和亚异丁基。亚芳基的例子包括具有6至12个碳的亚芳基，诸如亚苯基、甲代亚苯基、亚二甲苯基和亚萘基。

作为本发明的光学构件的第一特征，根据有机硅材料表面的X射线光电子能谱学(XPS)得出的原子组成百分比计，F原子相对于C原子的比率为0.01至1.00。这是因为当F原子相对于C原子的比率不小于上述范围的下限时，可为有机硅材料的表面提供充分的防污特性，而另一方面，当不大于上述范围的上限时，有机硅材料的透明度没有损失。