[发明专利]密闭型二次电池的劣化诊断方法及劣化诊断系统

权利要求书

1.一种密闭型二次电池的劣化诊断方法，其特征在于，包括：

检测所述密闭型二次电池的变形，求出第1曲线的步骤，其中所述第1曲线表示自满充电状态的放电容量或直至满充电状态为止的充电容量与所检测的所述密闭型二次电池的变形量的关系；

求出第2曲线的步骤，所述第2曲线表示该充放电容量与所述第1曲线的斜率的关系；和

在基于在所述第2曲线出现的峰的宽度所计算的充放电容量大于基于与其对应的规定基准状态下的峰的宽度所计算的充放电容量时，判定为由反应分布的扩大所致的劣化模式的步骤。

2.根据权利要求1所述的密闭型二次电池的劣化诊断方法，其包括以下步骤：

在判定为由反应分布的扩大所致的劣化模式时，在不超过在所述第2曲线出现的峰起点的充电容量加上充电开始时的剩余容量所得的值的2倍的范围内进行恒定电流充电。

3.根据权利要求1或2所述的密闭型二次电池的劣化诊断方法，其中，

在所述密闭型二次电池贴附高分子基质层，所述高分子基质层分散含有根据该高分子基质层的变形而对外磁场赋予变化的填料，通过检测所述外磁场根据该高分子基质层的变形而产生的变化，从而检测所述密闭型二次电池的变形。

4.根据权利要求3所述的密闭型二次电池的劣化诊断方法，其中，

所述高分子基质层含有作为所述填料的磁性填料，

通过检测作为所述外磁场的磁场的变化，从而检测所述密闭型二次电池的变形。

5.一种密闭型二次电池的劣化诊断系统，其特征在于，具备：

检测传感器，检测所述密闭型二次电池的变形；和

控制装置，求出表示自满充电状态的放电容量或直至满充电状态为止的充电容量与由所述检测传感器检测到的所述密闭型二次电池的变形量的关系的第1曲线、以及表示该充放电容量与所述第1曲线的斜率的关系的第2曲线，在基于在所述第2曲线出现的峰的宽度所计算的充放电容量大于基于在与其对应的规定基准状态下的峰的宽度所计算的充放电容量时，判定为由反应分布的扩大所致的劣化模式。

6.根据权利要求5所述的密闭型二次电池的劣化诊断系统，其中，

在判定为由反应分布的扩大所致的劣化模式时，在不超过在所述第2曲线出现的峰起点的充电容量加上充电开始时的剩余容量所得的值的2倍的范围内进行恒定电流充电。

7.根据权利要求5或6所述的密闭型二次电池的劣化诊断系统，其中，

所述检测传感器具备贴附于所述密闭型二次电池的高分子基质层和检测部，

所述高分子基质层分散含有根据该高分子基质层的变形而对外磁场赋予变化的填料，所述检测部检测所述外磁场的变化。

8.根据权利要求7所述的密闭型二次电池的劣化诊断系统，其中，

所述高分子基质层含有作为所述填料的磁性填料，所述检测部检测作为所述外磁场的磁场的变化。