[发明专利]银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨

说明书

本发明提供一种制造后的银纳米线的清洗容易的银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。通过在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热来制造银纳米线，所述聚合物以单体单元的形式含有由R‑CONHR'(R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R'为具有碳‑碳双键的碳原子数为2或3的烯基)表示的仲酰胺化合物。上述化合物的聚合物为选自聚(N‑乙烯基甲酰胺)、聚(N‑乙烯基乙酰胺)或聚(N‑乙烯基丙酰胺)中的1种以上的聚合物。

技术领域

本发明涉及银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。

背景技术

作为成为触摸面板等透明电极中所使用的ITO(氧化铟锡)膜的替代品的高透明性、高导电性薄膜的原料，银纳米线近年来备受关注。所述的银纳米线一般而言通过在聚乙烯基吡咯烷酮和乙二醇等多元醇的存在下对银化合物进行加热来制造(专利文献1、非专利文献1)。

但是，虽然聚乙烯基吡咯烷酮具有对二醇、水的溶解性，但是，在上述反应中，为了控制银纳米线的线径，大多使氯化物盐或其它无机盐共存(专利文献2)，这些物质存在时，聚乙烯基吡咯烷酮对二醇、水的溶解度降低。因此，以在这些物质的存在下进行生长的银纳米线表面附着聚乙烯基吡咯烷酮的方式析出，并且在反应后难以通过清洗而除去。在使用这种残存有聚乙烯基吡咯烷酮的银纳米线的情况下，存在如果不使用大过量的醇清洗银纳米线，则不能除去银纳米线上的聚乙烯基吡咯烷酮的缺点。在将银纳米线进行墨化时，需要根据印刷的基材分别使用水或醇、有机溶剂等，但在银纳米线表面残存聚乙烯基吡咯烷酮的情况下，为了降低导电性薄膜的电阻而需要用于除去银纳米线表面的聚乙烯基吡咯烷酮的强的能量，而且对分散介质、特别是疏水性的分散介质的分散性不充分，需要进一步添加分散剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:美国专利第7,585,349号说明书

专利文献2:美国专利第8,512,438号说明书

非专利文献

非专利文献1:Ducamp-Sanguesa,et al.,J.Solid State Chem.,1992,100,272

发明内容

发明所要解决的课题

因此，本发明的课题在于，提供一种制造后的银纳米线的清洗容易的银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明的一实施方式为一种银纳米线的制造方法，其特征在于，包含在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热工序，所述聚合物以单体单元的形式含有由R-CONHR’(R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R’为具有碳-碳双键的碳原子数为2或3的烯基)表示的仲酰胺化合物。

上述化合物的聚合物优选为选自聚(N-乙烯基甲酰胺)、聚(N-乙烯基乙酰胺)或聚(N-乙烯基丙酰胺)中的1种以上的聚合物。

另外，上述银化合物优选为硝酸银、六氟磷酸银、氟硼酸银、高氯酸银、氯酸银、氯化银、溴化银、氟化银、碳酸银、硫酸银、醋酸银、三氟醋酸银中的一种。

优选含有多元醇作为所述还原剂和/或溶剂。另外，优选多元醇的碳原子数为2～6，且多元醇为2～6元的醇化合物。

另外，上述银纳米线的制造方法优选相对于银化合物100质量份，使用10000～100000质量份的多元醇。

另外，上述银纳米线的制造方法优选还加入季铵盐。

另外，上述银纳米线的制造方法还包含将得到的银纳米线的表面上附着的聚合物除去的工序。