[发明专利]自旋转移力矩存储器中的写操作有效

专利信息
申请号: 201580063627.4 申请日: 2015-11-24
公开(公告)号: CN107077875B 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: H.奈伊米 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C11/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;付曼
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 自旋 转移 力矩 存储器 中的 操作
【权利要求书】:

1.一种存储器,包括:

至少一个自旋转移力矩存储器装置;

温度传感器,邻近于所述自旋转移力矩存储器装置;以及

控制器,包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑,用来:

监视所述温度传感器的输出;

在所述温度传感器的所述输出未能超过阈值温度时,实现第一写操作协议;以及

在所述温度传感器的所述输出超过所述阈值温度时,实现第二写操作协议,

其中,用来实现第一写操作协议的所述逻辑还包括执行下列操作的逻辑:

从主机装置接收写数据;

确定所述写数据的物理存储器地址;

从所述物理存储器地址中的存储器单元读数据;

将从所述物理存储器地址所读的所述数据与所述写数据进行比较;以及

将所述写数据仅写到被所述写数据修改的数据单元,并且

其中,用来实现第二写协议的所述逻辑还包括用来执行下列操作的逻辑:

从主机装置接收写数据;

确定所述写数据的物理存储器地址;以及

响应于确定所述写数据的所述物理存储器地址,将所述写数据写到所述物理存储器地址。

2.如权利要求1所述的存储器,其中,用来比较从所述物理存储器地址所读的所述数据的所述逻辑包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑,用来:

执行从所述物理地址中的存储器单元的所读数据与所述写数据的逐位XOR。

3.如权利要求1所述的存储器,其中,所述控制器还包括用来执行下列操作的逻辑:

在所述温度传感器的所述输出升高到高于所述阈值温度时,减少写电流。

4.如权利要求1所述的存储器,其中,所述控制器还包括用来执行下面操作的逻辑:

在所述温度传感器的所述输出升高到高于所述阈值温度时,减少写脉冲持续期。

5.一种电子装置,包括:

处理器;

至少一个自旋转移力矩存储器装置;以及

控制器,包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑,用来:

监视温度传感器的输出;

在所述温度传感器的所述输出未能超过阈值温度时,实现第一写操作协议;以及

在所述温度传感器的所述输出超过所述阈值温度时,实现第二写操作协议,

其中,用来实现第一写操作协议的所述逻辑还包括用来执行下列操作的逻辑:

从主机装置接收写数据;

确定所述写数据的物理存储器地址;

从所述物理存储器地址中的存储器单元读数据;

将从所述物理存储器地址所读的所述数据与所述写数据进行比较;以及

将所述写数据仅写到被所述写数据修改的数据单元,并且

其中,用来实现第二写协议的所述逻辑还包括用来执行下列操作的逻辑:

从主机装置接收写数据;

确定所述写数据的物理存储器地址;以及

响应于确定所述写数据的所述物理存储器地址,将所述写数据写到所述物理存储器地址。

6.如权利要求5所述的电子装置,其中,用来比较从所述物理存储器地址所读的所述数据的所述逻辑包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑,用来:

执行从所述物理地址中的存储器单元的所读数据与所述写数据的逐位XOR。

7.如权利要求5所述的电子装置,其中,所述控制器还包括用来执行下面操作的逻辑:

在所述温度传感器的所述输出升高到高于所述阈值温度时,减少写电流。

8.如权利要求5所述的电子装置,其中,所述控制器还包括用来执行下面操作的逻辑:

在所述温度传感器的所述输出升高到高于所述阈值温度时,减少写脉冲持续期。

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