[发明专利]用于运行并联的功率半导体开关的方法和设备在审

专利信息
申请号: 201580064073.X 申请日: 2015-09-22
公开(公告)号: CN107005236A 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: T.里希特;J.基尔布;S.阿尔丁格 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: H03K17/12 分类号: H03K17/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 胡莉莉,杜荔南
地址: 德国斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 运行 并联 功率 半导体 开关 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种用于运行并联的功率半导体开关(LH1...LHn)的方法,其中一个总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)被分配给所述功率半导体开关(LH1...LHn)中的至少一个功率半导体开关,所述方法具有如下步骤:

确定(220)所述至少一个功率半导体开关(LH1...LHn)的总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)的额定值;

根据所述额定值形成(240)所述至少一个功率半导体开关(LH1...LHn)的总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn);并且

利用所属的总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)来运行(250)所述至少一个功率半导体开关(LH1...LHn)。

2.根据权利要求1所述的方法,所述方法具有如下附加的步骤:

提供(230)大量栅极稳流电阻(GV1...GVn),所述栅极稳流电阻(GV1...GVn)能被分配给所述至少一个总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn),并且

根据所确定的额定值来从所述大量所述栅极稳流电阻(GV1...GVn)中选择一个选择,

其中通过将所选择的栅极稳流电阻(GV1...GVn)进行联接来形成(240)所述至少一个总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)。

3.根据上述权利要求之一所述的方法,所述方法具有如下附加的步骤:

确定所述功率半导体开关(LH1...LHn)中的至少第一和第二功率半导体开关的各一个温度(T1...Tn),

其中根据所确定的温度(T1...Tn)来确定至少一个额定值。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,根据所述至少第一和第二功率半导体开关(LH1...LHn)的所确定的温度(T1...Tn)的差来确定所述至少一个额定值。

5.根据权利要求1或2之一所述的方法,所述方法具有如下附加的步骤:

确定经过所述功率半导体开关(LH1...LHn)中的至少第一和第二功率半导体开关的各一个电流(I1...In),其中根据所确定的电流(I1...In)来确定所述至少一个额定值。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,根据所述至少第一和第二功率半导体开关(LH1...LHn)的所确定的电流(I1...In)的差来确定所述至少一个额定值。

7.根据上述权利要求之一所述的方法,其中,确定所述额定值、形成所述总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)并且借助于至少一个逻辑单元(LE)来运行所述功率半导体开关(LH1...LHn)中的至少一个功率半导体开关。

8.根据上述权利要求之一所述的方法,

其中,将并联的功率半导体模块至少部分地用作并联的功率半导体开关(LH1...LHn),其中一个功率半导体模块包括并联的功率半导体开关。

9.一种用于运行并联的功率半导体开关(LH1...LHn)的控制设备(SG),其中,一个总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)被分配给所述功率半导体开关(LH1...LHn)中的至少一个功率半导体开关,而且所述控制设备(SG)被构造为

确定所述至少一个功率半导体开关(LH1...LHn)的总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)的额定值,

根据所述额定值形成所述至少一个功率半导体开关(LH1...LHn)的总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn),

并且利用所属的总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)来运行所述至少一个功率半导体开关(LH1...LHn)。

10.一种具有并联的功率半导体开关(LH1...LHn)的电路,其中,一个总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)被分配给所述功率半导体开关(LH1...LHn)中的至少一个功率半导体开关,其中所述总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)的大小能以可变的方式来调整。

11.一种具有并联的功率半导体开关(LH1...LHn)的电系统(10),所述电系统(10)具有总栅极稳流电阻(GGV1...GGVn)以及根据权利要求9所述的控制设备(SG)。

12.一种计算机程序,其被构造为执行根据权利要求1至8之一所述的方法之一的所有的步骤。

13.一种机器可读的存储介质,在其上存储有根据权利要求12所述的计算机程序。

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