[发明专利]基板保持装置有效
申请号: | 201580064212.9 | 申请日: | 2015-11-13 |
公开(公告)号: | CN107002238B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | E.O.P.苏范;D.克拉森斯;A.博伊德 | 申请(专利权)人: | 艾克斯特朗欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C14/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
地址: | 德国黑*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 装置 | ||
1.一种用于保持至少一个基板的装置,所述基板应用于CVD或PVD反应器的处理室中,所述装置具有平坦的上侧,用于至少一个基板(3)的至少一个支承位(2)位于所述上侧上,其中,与基板(3)的轮廓相应的轮廓线(7)被定位侧边(5、5′)从侧向围绕,所述定位侧边(5、5′)分别用于固定位置地贴靠基板(3)的边缘(8)的区段,所述轮廓线(7)包围在底面水平面上延伸的支承位底面(14),并且所述装置还具有分别从支承位底面(14)的凹陷部(20)突起的支撑凸起(9),所述支撑凸起(9)具有相对于支承位底面(14)抬升的放置面(15),所述基板(3)能够放置在基板放置水平面内,所述放置面(15)在该基板放置水平面内延伸,其中,所述支撑凸起(9)分别被具有凹陷水平面的凹陷部(20)环绕,所述凹陷水平面在竖向上距离基板放置水平面比距离底面水平面更远,其中,所述凹陷部(20)具有位于凹陷水平面内的环形的脊线,所述凹陷部(20)的底部在构成横截面倒圆的情况下无弯折地过渡至支撑凸起(9)的外壁,所述支撑凸起(9)的外壁还在构成横截面倒圆的情况下无弯折地过渡至拱曲的放置面(15),其特征在于,所述支撑凸起(9)拱形地从凹陷部底部或者凹陷部脊部延伸直至所述放置面(15)。
2.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述支撑凸起(9)和包围所述支撑凸起(9)的凹陷部(20)的边缘位于由所述轮廓线(7)包围的支承位(2)内,或者所述轮廓线(7)与所述放置面(15)相交。
3.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,设有所述支承位底面(14)的沿所述定位侧边(5、5′)延伸的、构成沟槽(10)的凹空部。
4.按照权利要求3所述的装置,其特征在于,所述凹陷部(20)是所述沟槽(10)的区段。
5.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,在两个相邻的定位侧边(5、5′)之间布置有凹槽(11)。
6.按照权利要求5所述的装置,其特征在于,沟槽区段(12)在所述凹槽(11)的侧壁(11′)和所述支撑凸起(9)的侧壁(9′)之间延伸。
7.按照权利要求5所述的装置,其特征在于,在俯视图中所述凹槽(11)是半圆形的。
8.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述支撑凸起(9)具有两个相对置的半圆形的侧壁(9′、9″)。
9.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述支撑凸起(9)位于两个相邻的基座(4)之间并且具有放置面(15),两条轮廓线(7)延伸经过所述放置面(15)。
10.按照权利要求9所述的装置,其特征在于,长形延伸的凹陷部(22)在两个相邻的基座(4)之间延伸。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的