[发明专利]晶体管器件有效
| 申请号： | 201580064397.3 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107004702B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | H·斯林豪斯;K·邦戈;V·佩库尼亚 | 申请（专利权）人： | 剑桥企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种生产晶体管器件的方法，包括：(a)通过包括从金属有机前驱体的溶液形成前驱体膜以及在存在水的情况下以150-350℃之间的温度对所述前驱体膜进行退火的方法，形成氧化物半导体沟道材料的沉积物；以及(b)通过最大处理温度小于80℃的沉积工艺将有机聚合物栅极电介质沉积在所述氧化物半导体沟道材料的沉积物的顶部上。
2.根据权利要求1所述的生产晶体管器件的方法，其中氧化物半导体沟道的沉积物在沉积有机聚合物栅极电介质之前包括10％-30％的金属氢氧化物物质。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的生产晶体管器件的方法，其中所述金属有机前驱体是溶解在乙醇或水溶剂中的金属醇盐或金属硝酸盐。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的生产晶体管器件的方法，其中所述氧化物半导体沟道材料的沉积物在所述有机聚合物栅极电介质的沉积之后包括至少10％的金属氢氧化物物质。
5.一种生产晶体管器件的方法，包括：(a)通过包括从金属有机前驱体的溶液形成前驱体膜以及在存在水的情况下以150-350℃之间的温度对所述前驱体膜进行退火的方法，形成氧化物半导体沟道材料的沉积物；以及(b)将有机聚合物栅极电介质沉积在氧化物半导体沟道的顶部上；其中所述氧化物半导体沟道材料的沉积物在所述有机聚合物栅极电介质的沉积之后包括至少10％的金属氢氧化物物质。
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