[发明专利]聚酯膜

权利要求书

1.聚酯膜，其是聚对苯二甲酸乙二醇酯在构成膜的聚酯树脂中所占的比例为60重量%以上的聚酯膜，在200℃下进行30分钟热处理时的膜长度方向、宽度方向的热收缩率均为0.5%以下；

其中，所述聚酯膜为至少包括3层的层叠聚酯膜，构成A层的聚酯树脂的熔点Tmo为260℃以上，所述A层为构成膜的表面的层，所述Tmo的单位为℃。

2.根据权利要求1所述的聚酯膜，其中，在200℃下进行30分钟热处理时的膜长度方向、宽度方向的热收缩率之中，至少任一者的热收缩率为0.01%以上。

3.根据权利要求1或2所述的聚酯膜，其中，在220℃下进行30分钟热处理时的膜长度方向的热收缩率、宽度方向的热收缩率均为0.5%以下，且至少任一者的热收缩率为0.01%以上。

4.根据权利要求1或2所述的聚酯膜，其中，通过非接触式激光显微镜测定膜的凹凸时，膜的凹凸差为300μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的聚酯膜，其中，面取向系数为0.145以上且0.165以下。

6.根据权利要求1或2所述的聚酯膜，其中，构成膜的聚酯树脂具有熔点Tmf，且具有1个以上的微小吸热峰温度Tmeta，所述Tmf和Tmeta的单位为℃。

7.根据权利要求6所述的聚酯膜，其中，构成膜的聚酯树脂具有2个以上的微小吸热峰Tmeta，温度最低的Tmeta即Tmeta1与温度最高的Tmeta即Tmeta2满足下述关系：

Tmf-35≤Tmeta1Tmeta2≤Tmf；

所述Tmeta、Tmeta1和Tmeta2的单位为℃。

8.根据权利要求1所述的聚酯膜，其中，所述层叠聚酯膜包括3层，构成A层的聚酯树脂的熔点Tmo与构成B层的聚酯树脂的熔点Tmi之差为5℃以上且10℃以下，所述A层为构成表层的层，所述B层为构成内层的层；所述Tmo和Tmi的单位为℃。

9.根据权利要求8所述的聚酯膜，其中，A层的厚度之和与B层的厚度之比为1/8以上且1/4以下，所述A层为构成表层的层，所述B层为构成内层的层。

10.根据权利要求1~8中任一项所述的聚酯膜，其用于透明导电膜的制膜基板。