[发明专利]高质量流动式化学气相沉积膜的先进工艺流程有效
| 申请号： | 201580064621.9 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107109643B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 斯里尼瓦斯·D·内曼尼;埃莉卡·陈;卢多维克·戈代;薛君;怡利·Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/56;C23C16/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积 介电膜 离子注入工艺 处理流程 缝隙填充 高深宽比 固化工艺 器件材料 退火工艺 应用离子 质量流动 质量特性 工艺流程 流动式 膜收缩 膜形成 膜应力 热收支 可用 沉积 改良 应用 | ||
1.一种用于形成流动式化学气相沉积膜的方法，所述方法依序包括以下步骤：
通过在100℃或小于100℃的温度下且在0.5托与10托之间的压力下于处理腔室中反应含硅前驱物、含氮前驱物及含氧前驱物而形成介电膜于基板上；
通过在离子注入工艺中暴露所述介电膜至氧离子以NHx的方式自所述基板除气；
暴露所述介电膜至氧自由基以固化所述介电膜；以及
通过在小于500℃的温度下暴露所述介电膜至水蒸汽来退火所述介电膜。
2.如权利要求1所述的方法，其中原位执行所述离子注入工艺于所述处理腔室中。
3.如权利要求2所述的方法，其中在小于500℃的温度下执行所述离子注入工艺。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述氧自由基通过激发臭氧前驱物而形成。
5.如权利要求1所述的方法，其中异位执行所述离子注入工艺于离子注入腔室中，所述离子注入腔室与所述处理腔室分隔。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述基板在没有破坏真空的情况下自所述处理腔室被传送至所述离子注入腔室。
7.如权利要求6所述的方法，其中在小于500℃的温度下执行所述离子注入工艺。
8.一种用于形成流动式化学气相沉积膜的方法，所述方法依序包括以下步骤：
通过在100℃或小于100℃的温度下且在0.5托与10托之间的压力下于处理腔室中反应含硅前驱物、含氮前驱物与含氧前驱物而形成介电膜于基板上；
暴露所述介电膜至氧自由基以固化所述介电膜；
通过在离子注入工艺中暴露所述介电膜至氧离子以NHx的方式自所述基板除气；以及
通过在小于500℃的温度下暴露所述介电膜至水蒸汽来退火所述介电膜。
9.如权利要求8所述的方法，其中原位执行所述离子注入工艺于所述处理腔室中。
10.如权利要求9所述的方法，其中在小于500℃的温度下执行所述离子注入工艺。
11.如权利要求8所述的方法，其中异位执行所述离子注入工艺于离子注入腔室中，所述离子注入腔室与所述处理腔室分隔。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述基板在没有破坏真空的情况下自所述处理腔室被传送至所述离子注入腔室。
13.如权利要求12所述的方法，其中在小于500℃的温度下执行所述离子注入工艺。
14.一种用于形成流动式化学气相沉积膜的方法，所述方法依序包括以下步骤：
通过在100℃或小于100℃的温度下且在0.5托与10托之间的压力下于处理腔室中反应含硅前驱物、含氮前驱物与含氧前驱物而形成介电膜于基板上；
暴露所述介电膜至氧自由基以固化所述介电膜；
通过在小于500℃的温度下暴露所述介电膜至水蒸汽来退火所述介电膜；以及
通过在离子注入工艺中暴露所述介电膜至氧离子以NHx的方式自所述基板除气。
15.如权利要求14所述的方法，其中异位执行所述离子注入工艺于离子注入腔室中，所述离子注入腔室与所述处理腔室分隔。
16.如权利要求15所述的方法，其中所述基板在没有破坏真空的情况下自所述处理腔室被传送至所述离子注入腔室。
17.如权利要求16所述的方法，其中在小于500℃的温度下执行所述离子注入工艺。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
