[发明专利]温度补偿板谐振器

权利要求书

1.一种微机电谐振器装置，包括：

支撑结构，

用n型掺杂剂掺杂到掺杂浓度并能够至少部分地以宽度-延伸谐振模式谐振的半导体谐振器板，

将所述谐振器板悬挂在所述支撑结构上的至少一个锚固件，

将所述宽度-延伸谐振模式激发到所述谐振器板中的驱动器，

其特征在于，所述谐振器板被掺杂到1.2*10²⁰cm^-3或更大的掺杂浓度，并具有这样的形状，所述形状与所述掺杂浓度结合在所述宽度-延伸谐振模式中使得在至少一个温度下二阶频率温度系数(TCF₂)为12ppb/C²或更小；以及所述谐振器板的形状为矩形或椭圆形；所述谐振器板的形状的纵横比为1.1-1.6。

2.根据权利要求1所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状的纵横比为1.3-1.5。

3.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状的纵横比大于1.3，所述谐振器板设置有形成所述驱动器的一部分的压电薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状和掺杂浓度使得在所述至少一个温度下所述谐振器装置的一阶频率温度系数(TCF₁)为1ppm/C或以下。

5.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状是非正方形和非圆形，并且纵横比为2或更小。

6.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板具有以5度的精度与半导体晶体的[100]方向一致的对称轴。

7.根据权利要求6所述的谐振器装置，其特征在于，所述对称轴与所述谐振器板的纵向轴重合。

8.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板包括基板，其纵横比为1.2-1.6，并且其中设置有一个或多个突起。

9.根据权利要求8所述的谐振器装置，其特征在于，所述基板为矩形或椭圆形的基板。

10.根据权利要求8所述的谐振器装置，其特征在于，所述突起为从所述基板横向延伸的梁突起。

11.根据权利要求8所述的谐振器装置，其特征在于，所述基板适应于以所述宽度-延伸模式谐振，所述突起以弯曲、扭转或长度-延伸模式谐振。

12.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板被掺杂到1.25*10²⁰cm^-3或更大的掺杂浓度。

13.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状和掺杂浓度使得在所述至少一个温度下的二阶频率温度系数(TCF₂)为6ppb/C²或更小。

14.根据权利要求13所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状和掺杂浓度使得在所述至少一个温度下的二阶频率温度系数(TCF₂)为3ppb/C²或更小。

15.根据权利要求1或2所述的谐振器装置，其特征在于，所述谐振器板的形状和掺杂浓度使得在所述至少一个温度下所述谐振器装置的一阶频率温度系数(TCF₁)为0.5ppm/C或更小，二阶频率温度系数(TCF₂)为3ppb/C²或更小。