[发明专利]具有单一组合的串联和并联电容器组件的输出匹配网络

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基板，所述基板具有：设置在所述基板的顶表面的第一部分中的半导体层和位于所述基板的底表面上的接地平面导体；

匹配网络，所述匹配网络在形成在所述半导体中的晶体管的输出端处的阻抗到负载的变换中需要预定并联电容，所述匹配网络包括：

设置在所述基板之上的输入传输线，以用于耦合到：形成在所述半导体层中的所述晶体管的所述输出端；以及用于连接到直流偏置电压源的偏置端子；

设置在所述基板之上的输出传输线，其具有适于耦合到所述负载的输出端；

第一导电层，其设置在所述基板的所述顶表面的第二部分上，所述第一导电层连接到所述输出传输线的带状导体；

介电层，其设置在所述第一导电层上，所述介电层通过所述第一导电层与所述基板分隔开；

第二导电层，其设置在所述介电层上并且连接到所述输入传输线的带状导体；

其中，所述第一导电层、所述介电层和所述第二导电层形成第一电容器；

其中，所述第一导电层、所述基板的下面部分和所述接地平面导体的下面部分形成第二电容器；

其中，所述第二电容器提供在所述晶体管的输出端处的阻抗到负载的变换中所需的预定并联电容；并且

其中，所述第一电容器串联在所述输入传输线与所述输出传输线之间以阻断从所述直流偏置电压源到所述输出传输线的直流电流。

2.一种半导体结构，包括：

集成电路芯片基板；

接地平面导体，其设置在所述基板的底表面上；

第一导电层，其设置在所述基板的顶表面的部分上；

介电层，其设置在所述第一导电层上，所述介电层通过所述第一导电层与所述基板分隔开；

第二导电层，其设置在所述介电层上；

其中，所述第一导电层、所述介电层和所述第二导电层形成第一电容器，所述第一电容器设置在所述基板的所述顶表面上；

其中，所述第一导电层、所述基板的下面部分和所述接地平面导体的下面第三部分形成第二电容器。

3.一种半导体结构，包括：

(A)集成电路芯片基板；

(B)形成在半导体层中的晶体管，所述半导体层设置在所述基板的顶表面的第一部分中，所述晶体管具有用于产生微波频率信号的输出端，所述输出端耦合到DC电压源；

(C)接地平面导体，其设置在所述基板的底表面上；

(D)匹配网络，其耦合在所述晶体管的所述输出端与负载之间，所述匹配网络包括：

(ⅰ)输入传输线，其耦合到所述晶体管的所述输出端，所述输入传输线包括：

(a)输入带状导体，其设置在所述基板的所述顶表面的第二部分上；

(b)所述接地平面导体的设置在所述输入带状导体下方的第一部分；以及

(c)所述基板的设置在所述输入带状导体与所述接地平面导体的所述第一部分之间的部分；

(ⅱ)输出传输线，其耦合到所述负载，所述输出传输线包括：

(a)输出带状导体，其设置在所述基板的所述顶表面的第三部分上；

(b)所述接地平面导体的设置在所述输出带状导体下方的第二部分；以及

(c)所述基板的设置在所述输出带状导体与所述接地平面导体的所述第二部分之间的部分；

(ⅲ)第一导电层，其设置所述基板的所述顶表面的第三部分上并且连接到所述输出传输线的所述输出带状导体；

(ⅳ)介电层，其设置在所述第一导电层上，所述介电层为；

(ⅴ)第二导电层，其设置在所述介电层上并且连接到所述输入传输线的所述输入带状导体；

(ⅵ)其中，所述第一导电层、所述介电层和所述第二导电层形成第一电容器，所述第一电容器设置在所述基板的所述顶表面的所述第三部分上；

(ⅶ)其中，所述第一导电层、所述基板的下面部分和所述接地平面导体的下面第三部分形成第二电容器；

(ⅷ)其中，所述第二电容器提供用于所述匹配网络的并联电容器；以及

(ⅸ)其中，所述第一电容器提供在所述输入传输线与所述输出传输线之间的串联电容以阻断从所述DC电压源传递到负载的直流电流。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述介电层与所述基板不同。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述介电层通过所述第一导电层与所述基板的所述顶表面分隔开。