[发明专利]检验系统及具有增强检测的技术

权利要求书

1.一种用于检验半导体样本的方法，其包括：

在检验工具上，针对一或多个半导体样本的不同所关注层基于此类不同所关注层是否具有存在于此类不同所关注层内或附近的吸收剂类型材料选择多个不同波长范围；

在所述检验工具上，在所述不同波长范围引导至少一个入射光束朝向所述不同所关注层，且作为响应，针对所述不同所关注层中的每一者获得多个输出信号或图像；及

分析来自所述不同所关注层中的每一者的所述输出信号或图像以检测此类不同所关注层中的缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸收剂类型材料是SiN。

3.根据权利要求2所述的方法，其中选择所述不同波长范围包括：

针对不具有存在于所述不同所关注层中的第一者内或附近的SiN或具有存在于此第一所关注层下方的SiN的此第一所关注层选择低于SiN的吸收边缘波长的较短波长范围；及

针对具有存在于所述不同所关注层中的第二者上方的SiN的此第二所关注层选择高于所述吸收边缘波长的较长波长范围。

4.根据权利要求3所述的方法，其中选择所述不同波长范围进一步包括：

在具有存在于所述不同所关注层中的第三者内的SiN的此第三所关注层处选择窄且较短波长范围。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述较短波长范围是220nm或更小；

所述较长波长范围是230nm或更大；及

所述窄且较短波长范围在230nm与250nm之间。

6.根据权利要求4所述的方法，其中选择所述不同波长范围包含确定是否如制造所述样本所使用的设计数据库中指定那样在所述不同所关注层中的每一者内或附近存在SiN。

7.根据权利要求4所述的方法，其中选择所述不同波长范围包含在不提供制造所述样本所使用的设计数据库的情况下确定是否如使用层及材料类型的列表指定那样在所述不同所关注层中的每一者内或附近存在SiN。

8.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括将水平或垂直偏光应用于所述至少一个入射光束。

9.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括针对所述至少一个入射光束选择不同孔隙设置以实现针对至少一些所述不同所关注层的特定入射角。

10.根据权利要求1所述的方法，其中针对具有垂直堆叠结构的特定所关注层的至少一些所述不同波长范围包含用以检测所述垂直堆叠结构的表面上及贯穿所述垂直堆叠结构的深度两者的缺陷的较长波长范围及用以检测所述垂直堆叠结构的所述表面上的缺陷的较短波长范围。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸收剂类型材料是SiO₂。

12.一种用于检验半导体样本的检验系统，其包括：

照明光学器件模块，其用于基于不同所关注层是否具有存在于此类不同所关注层处的所关注层内或附近的吸收剂类型材料而在针对此类不同所关注层的多个不同波长范围产生入射光束且引导所述入射光束朝向一或多个半导体样本；

集光光学器件模块，其用于收集响应于所述入射光束而从所述不同所关注层反射或散射的输出光束；及

控制器，其经配置以执行以下操作：

针对一或多个半导体样本的不同所关注层基于此类不同所关注层是否具有存在于此类不同所关注层内或附近的吸收剂类型材料选择多个不同波长范围；

在所述不同波长范围使至少一个入射光束经引导朝向所述不同所关注层，且作为响应，针对所述不同所关注层中的每一者获得多个输出信号或图像；及

分析来自所述不同所关注层中的每一者的所述输出信号或图像以检测此类不同所关注层中的缺陷。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述吸收剂类型材料是SiN。