[发明专利]用于化学镀钯的镀浴组合物和方法

权利要求书

1.一种用于钯的化学沉积的水性镀浴组合物，其包含

(i)至少一种钯离子源，

(ii)至少一种用于钯离子的还原剂，以及

(iii)0.01至50mg/l的至少一种根据式(I)的芳族化合物

其中R1选自–H、–CH₃和–CH₂-CH₃；并且

其中R4选自取代的直链C1至C8烷基、未取代或取代的支链C3至C8烷基和未取代或取代的羰基；并且

其中R2、R3、R5和R6彼此独立地选自–H、未取代或取代的直链C1至C20烷基、未取代或取代的支链C3至C20烷基、–OH、–O-CH₃和–O-CH₂-CH₃；并且

其中所述R4的未取代或取代的羰基选自根据–(CR7R8)_n–CO–(CR9R10)_m–R11的部分，其中R7、R8、R9、R10彼此独立地选自–H、–CH₃、–CH₂–CH₃、–OH、–O-CH₃、–O-CH₂-CH₃；

其中R11选自–CH₃、–CH₂–CH₃、–O-CH₃、–O-CH₂-CH₃、未取代或取代的苯基和未取代或取代的萘基；并且

其中n、m是彼此独立地选自0、1和2的整数。

2.根据权利要求1所述的水性镀浴组合物，其中所述未取代或取代的直链C1至C20烷基是–CH₃。

3.根据权利要求1所述的水性镀浴组合物，其中所述直链C1至C8烷基、直链C1至C20烷基、支链C3至C8烷基或支链C3至C20烷基是取代的，并且所述取代基彼此独立地选自未取代或取代的苯基和未取代或取代的萘基。

4.根据权利要求3所述的水性镀浴组合物，其中所述苯基或萘基是取代的，并且所述取代基彼此独立地选自–OH、–O-CH₃、–O-CH₂-CH₃、–CH₃和–CHO。

5.根据前述权利要求中任一项所述的水性镀浴组合物，其中R4选自

其中R2、R3、R5和R6彼此独立地选自

–OH、–O-CH₃和–O-CH₂-CH₃；并且

其中R1如权利要求1中所定义。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述至少一种根据式(I)的芳族化合物具有0.01至20mg/l范围内的浓度。

7.根据权利要求5所述的水性镀浴组合物，其中所述至少一种根据式(I)的芳族化合物具有0.01至20mg/l范围内的浓度。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的水性镀浴组合物，其中所述组合物的pH值在4至7的范围内。