[发明专利]检测气态分析物的气体传感器装置和制造该装置的方法

权利要求书

1.用于制造用于检测至少一种气态分析物的气体传感器装置（100）的方法（700），其中所述方法（700）具有以下步骤：

提供（710）传感器基体（110），所述传感器基体具有半导体衬底（112）和被布置在所述半导体衬底（112）的第一主表面上的固体电解质层（116），至少一个腔区段（114）成形在所述半导体衬底中，其中所述固体电解质层（116）在所述至少一个腔区段（114）中由所述半导体衬底（112）留空；

在所述传感器基体（110）的半导体衬底侧处，生成（720）以干化学方式沉积的信号传导层（120），使得在所述至少一个腔区段（114）中未被所述半导体衬底（112）覆盖的固体电解质层（116）的区域中，至少一个缺口区段（222）在所述信号传导层（120）中成形，所述信号传导层（120）在所述缺口区段中留空；以及

将至少两个测量电极（130、140）借助于湿化学过程涂覆（730）到所述固体电解质层（116）上，其中第一测量电极（130）布置在所述信号传导层（120）的所述至少一个缺口区段（222）中并且第二测量电极（140）布置在所述传感器基体（110）的固体电解质层侧上。

2.根据权利要求1所述的方法（700），其特征在于，在所述生成的步骤（720）中，所述信号传导层（120）以干化学的方式沉积，并且借助于选择性的激光烧蚀在所述至少一个缺口区段（222）中进行移除。

3.根据权利要求2所述的方法（700），其特征在于，所述选择性的激光烧蚀从所述传感器基体（110）的半导体衬底侧出发来实施，和/或从所述传感器基体（110）的固体电解质层侧出发穿过所述固体电解质层（116）来实施，其中所述固体电解质层（116）对于在所述激光烧蚀中所使用的激光来说是透明的。

4.根据权利要求1所述的方法（700），其特征在于，在所述生成的步骤（720）中，在定义的沉积方向（555）上以干化学的方式沉积所述信号传导层（120），其中根据所述沉积方向（555）和所述至少一个腔区段（114）的几何结构来遮蔽所述至少一个缺口区段（222）以免受所述信号传导层（120）的材料。

5.根据权利要求1所述的方法（700），其特征在于，在所述提供的步骤（710）中提供传感器基体（110），在所述传感器基体的半导体衬底（112）中成形有所述至少一个腔区段（114），所述腔区段具有多余100微米或者多余200微米的深度。

6.根据权利要求1所述的方法（700），其特征在于以钝化层（660）来为所述半导体衬底（112）进行涂层的步骤（740），其中在生成所述信号传导层（120）的步骤（720）之前执行所述涂层的步骤（740）。

7.根据权利要求1所述的方法（700），其特征在于，在所述生成的步骤（720）中，所述信号传导层（120）以干化学的方式来沉积，并且以掩模层（425）来覆盖，其中所述掩模层（425）在所述至少一个缺口区段（222）中借助于选择性的激光烧蚀来脱离，其中移除在所述至少一个缺口区段（222）中的信号传导层（120）。