[发明专利]具有波长的温度补偿的发光二极管芯片

说明书

提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括：‑p型半导体区域(4)，‑n型半导体区域(6)，‑在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间设置的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(51，52)，其中‑多量子阱结构(51，52)具有：第一区域(51)，所述第一区域由交替的第一量子阱层(51A)和第一阻挡层(51B)构成；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层(52A)和至少一个第二阻挡层(52B)，‑至少一个第二量子阱层(52A)具有电子带隙(E_QW2)，所述电子带隙小于第一量子阱层(51A)的电子带隙(E_QW1)，‑至少一个第二阻挡层(52B)具有电子带隙(E_B2)，所述电子带隙大于第一阻挡层(51B)的电子带隙(E_B1)。

技术领域

本发明涉及一种光电子半导体芯片。

相关申请的交叉参引

本申请要求德国专利申请10 2014 117 611.1的优先权，其公开内容通过参引结合于此。

背景技术

半导体材料的光学和电子特性主要由带隙、即价带和导带之间的能隙确定。半导体材料的带隙通常随着温度增加而减小。在发射辐射的光电子半导体芯片、例如LED或半导体激光器中，这能够造成：发射的辐射的波长随着运行温度增加而增大。由此能够改变发射的辐射的色彩印象。

还已知的是：在波长高于大约560nm时肉眼的敏感度降低。在发射更大波长的光电子半导体芯片中，由于该原因，发射波长的受温度影响的增大不仅能够造成改变的色彩印象，而且也造成视觉感受到的亮度减小。

发明内容

本发明基于的目的是：提出一种发射辐射的光电子半导体芯片，其特征在于辐射发射的减小的温度相关性。

所述目的通过根据本发明的光电子半导体芯片来实现。本发明的有利的设计方案和改进方案是下文的主题。

根据至少一个设计方案，光电子半导体芯片包括p型半导体区域、n型半导体区域和设置在p型半导体区域和n型半导体区域之间的有源层，所述有源层构成为多量子阱结构。

根据至少一个设计方案，多量子阱结构具有：第一区域，所述第一区域具有交替的第一量子阱层和第一阻挡层；和第二区域，所述第二区域具有至少一个第二量子阱层和至少一个第二阻挡层，优选具有多个交替的第二量子阱层和第二阻挡层。第一区域和第二区域尤其能够分别具有多个层对，其中第一区域中的层对具有各一个第一量子阱层和第一阻挡层，并且第二区域中的层对具有各一个第二量子阱层和第二阻挡层。第一阻挡层分别具有比第一量子阱层更大的带隙，并且至少一个第二阻挡层具有比至少一个第二量子阱层更大的带隙。

根据至少一个设计方案，至少一个第二量子阱层具有带隙E_QW2，所述带隙小于第一量子阱层的带隙E_QW1。此外，至少一个第二阻挡层具有带隙E_B2，所述带隙大于第一阻挡层的带隙E_B1。第二区域比第一区域更靠近p型半导体区域设置。尤其，第一区域能够邻接于n型半导体区域，并且第二区域能够邻接于p型半导体区域。优选地，多量子阱结构由第一区域和第二区域构成，即所述多量子阱结构不具有其他层。