[发明专利]多特异性抗体

权利要求书

1.一种包含至少三个抗原结合位点的多特异性抗体，其中两个抗原结合位点由第一Fab片段和第二Fab片段形成，其中

a)第三抗原结合位点由重链可变结构域VH₃和轻链可变结构域VL₃形成，其中

-VH₃结构域的N末端与第一Fab片段的重链恒定结构域CH1的C末端或轻链恒定结构域CL借助第一肽接头连接，并且

-VL₃结构域的N末端与第二Fab片段的重链恒定结构域CH1的C末端或轻链恒定结构域CL借助第二肽接头连接，

b)多特异性抗体包含两个重链恒定结构域3，所述重链恒定结构域经以下方式改变以促进异二聚化

i)在CH3结构域之一中通过用具有比原始氨基酸残基更大的侧链体积的氨基酸残基置换至少一个原始氨基酸残基，产生突出部分，并且在另一个CH3结构域中通过用具有比原始氨基酸残基更小的侧链体积的氨基酸残基置换至少一个原始氨基酸残基，产生空穴，从而在CH3结构域之一中产生的突出部分可布置在另一个CH3结构域中产生的空穴中；或

将CH3结构域之一中的至少一个原始氨基酸残基用带正电荷的氨基酸置换，并且将另一个CH3结构域中的至少一个原始氨基酸残基用带负电荷的氨基酸置换；

ii)在每个CH3结构域中引入至少一个半胱氨酸残基，从而二硫键在CH3结构域之间形成，或

iii)i)和ii)的修饰；

c)第三抗原结合位点的VH₃结构域的C末端与一个CH3结构域连接，并且第三抗原结合位点的VL₃结构域的C末端与另一个CH3结构域连接，并且

d)多特异性抗体缺少重链恒定结构域2(CH2)。

2.根据权利要求1所述的多特异性抗体，其中通过在以下位置引入半胱氨酸残基以在VH₃结构域和VL₃结构域之间形成二硫键，第三抗原结合位点受到二硫键稳定化，其中所述位置根据Kabat编号：

-VH₃位置44处，和VL₃位置100处；

-VH₃位置105处，和VL₃位置43处；或

-VH₃位置101处，和VL₃位置100处。

3.根据权利要求1所述的多特异性抗体，其中第一肽接头和第二肽接头是至少15个氨基酸的肽。

4.根据权利要求1所述的多特异性抗体，其中在第一肽接头和第二肽接头之间未形成链间二硫键。

5.根据前述权利要求中任一项所述的多特异性抗体，其中VH₃结构域的C末端直接与CH3结构域之一连接，并且VL₃结构域的C末端直接与另一个CH3结构域连接。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的多特异性抗体，其中抗体是三价的。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的多特异性抗体，其中抗体是双特异性或三特异性的。

8.复合物，包含

-根据前述权利要求中任一项所述的多特异性抗体，其中多特异性抗体与半抗原和靶蛋白特异性结合，和

-半抗原，其由多特异性抗体特异性结合，其中半抗原与治疗药或诊断药缀合。

9.用于制备根据权利要求1至7中任一项所述的多特异性抗体的方法，包括步骤

-用包含编码多特异性抗体的核酸的表达载体转化宿主细胞，

-在允许合成所述多特异性抗体的条件下培养所述宿主细胞，并且

-从所述宿主细胞培养物回收所述多特异性抗体。

10.多特异性抗体，通过根据权利要求9所述的方法产生。

11.核酸，编码根据权利要求1至7中任一项所述的多特异性抗体。