[发明专利]在基板上制作多层式结构的方法及多层式元件

权利要求书

1.一种在基板上制作多层式结构的方法，包括：

在安置于所述基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；

沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及

使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型，其中形成第一侧壁结构，所述第一侧壁结构具有阶梯式结构且界定第一平均侧壁角度，所述第一平均侧壁角度相对于所述法线具有非零倾斜角度，其中所述第一侧壁结构的阶梯式表面相对于所述第一平均侧壁角度为斜角。

2.根据权利要求1所述的在基板上制作多层式结构的方法，还包括使用第二选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第一层类型而选择性地蚀刻所述第二层类型。

3.根据权利要求2所述的在基板上制作多层式结构的方法，使用所述第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层包括：执行第一反应性离子蚀刻以沿所述法线蚀刻所述第一层类型，且其中使用所述第二选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层包括：执行不同于所述第一反应性离子蚀刻的第二反应性离子蚀刻以沿所述法线蚀刻所述第二层类型。

4.根据权利要求1所述的在基板上制作多层式结构的方法，还包括：

沿不同于所述第一方向的第二方向射出第二离子，所述第二方向相对于所述法线形成第二非零入射角度，其中形成第二侧壁，所述第二侧壁界定第二平均侧壁角度，所述第二平均侧壁角度相对于所述法线具有非零倾斜角度，所述第二侧壁包括第三多个层，所述第三多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及

使用第三选择性蚀刻来蚀刻所述第三多个层，其中相对于所述第二层类型选择性地蚀刻所述第一层类型，其中形成第二侧壁结构，所述第二侧壁结构具有阶梯式结构且界定第二平均侧壁角度，所述第二平均侧壁角度相对于所述法线具有非零倾斜角度，其中所述第二侧壁结构的阶梯式表面相对于所述第二平均侧壁角度为斜角。

5.根据权利要求1所述的在基板上制作多层式结构的方法，其中所述第一离子包括能量小于50KeV的离子。

6.根据权利要求1所述的在基板上制作多层式结构的方法，其中所述元件堆叠包括交替的层，所述交替的层包括硅层及绝缘体材料层。

7.根据权利要求1所述的在基板上制作多层式结构的方法，其中所述第一方向相对于所述法线形成介于15度与70度之间的入射角度。

8.根据权利要求1所述的在基板上制作多层式结构的方法，其中所述第一层类型与所述第二层类型以交替的形式排列。

9.一种在基板上制作多层式结构的方法，包括：

在安置于所述基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；

沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及

沿所述第一侧壁形成与所述第一层类型的至少一个层的电性触点。