[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效
| 申请号： | 201580065784.9 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107004721B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 白朱爀;裵钟旭;塞鲁恩特·洪;李道炯;朴泰昱 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
基板；
位于所述基板上的有源层；
位于所述有源层上的栅极绝缘膜；
位于所述栅极绝缘膜上的栅电极；
位于所述栅电极上的层间绝缘膜；以及
位于所述层间绝缘膜上并且连接至所述有源层的源电极和漏电极；
其中由包含第IV族元素的氧化物半导体制成的中间层位于所述有源层与所述栅极绝缘膜之间；
其中所述中间层设置在所述有源层上，以及
其中所述中间层的宽度，栅极绝缘膜的宽度，以及栅电极的宽度彼此相同。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层包含铟、镓和锌，并且还包含第IV族元素。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层具有In1.1Ga1Zn1Si(0.5～2)O(7.3～8.15)的原子比。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层具有至的厚度。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第IV族元素是硅。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述硅的含量在2.9×1022cm-3至3.2×1022cm-3之间。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层还包含氢，以及所述氢的含量在1.2×1021cm-3至1.6×1021cm-3之间。
8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层具有至的厚度。
9.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
基板；
位于所述基板上并且包括下部有源层和中间层的有源层；
位于所述有源层上的栅极绝缘膜；
位于所述栅极绝缘膜上的栅电极；
位于所述栅电极上的层间绝缘膜；以及
位于所述层间绝缘膜上并且连接至所述有源层的源电极和漏电极，
其中所述中间层由包含第IV族元素的氧化物半导体制成，以及
其中所述中间层具有In5Ga1Zn1Si(12～13)O35的原子比。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层包含铟、镓和锌，并且还包含第IV族元素。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述中间层具有至的厚度。
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