[发明专利]包含具有含卤素的羧酸酰胺基的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含具有三氟乙酰胺基的水解性硅烷，

该具有三氟乙酰胺基的水解性硅烷为式(1)所示的水解性硅烷，

R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式（1）

式(1)中，R¹为式(2)所示的有机基团且通过Si-C键与硅原子结合，R²为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团且通过Si-C键与硅原子结合，R³表示烷氧基、酰氧基或卤素基团，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数，

式(2)中，R⁴为可以包含酰胺基、氨基、醚基、磺酰基的有机基团，该有机基团表示碳原子数1～10的亚烷基、亚芳基、或它们的组合，R⁵表示氢原子，R⁶为三氟甲基。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该水解性硅烷为式(1)所示的水解性硅烷与其它水解性硅烷的组合，其它水解性硅烷为选自式(3)所示的水解性硅烷和式(4)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷，

R⁷_cSi(R⁸)_4-c 式(3)

式(3)中，R⁷为烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基团且通过Si-C键与硅原子结合，R⁸表示烷氧基、酰氧基或卤素基团，c表示0～3的整数，

〔R⁹_dSi(R¹⁰)_3-d〕₂Y_e 式(4)

式(4)中，R⁹为烷基且通过Si-C键与硅原子结合，R¹⁰表示烷氧基、酰氧基或卤素基团，Y表示亚烷基或亚芳基，d表示0或1的整数，e为0或1的整数。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为聚合物的水解性硅烷的水解缩合物，所述水解性硅烷的水解缩合物是由式(1)所示的水解性硅烷与权利要求2记载的式(3)所示的水解性硅烷的组合形成的。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含酸。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含水。

6.一种抗蚀剂下层膜，其形成于半导体基板上，且由权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物的固化物构成。

7.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：将权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜曝光的工序；曝光后将该抗蚀剂膜显影而得到抗蚀剂图案的工序；按照所述抗蚀剂图案对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及按照被图案化了的抗蚀剂膜和抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。

8.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜曝光的工序；曝光后将该抗蚀剂膜显影而得到抗蚀剂图案的工序；按照所述抗蚀剂图案对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；按照被图案化了的抗蚀剂下层膜对有机下层膜进行蚀刻的工序；以及按照被图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。