[发明专利]多频带波长选择性结构

权利要求书

1.一种用于选择性地对入射电磁辐射进行反射或吸收的波长选择性结构，所述结构包括多个层，所述多个层包括：

包括多个表面元件的复合层，其中，所述复合层包括：

至少一个金属或类金属层；以及

至少一个电介质层；

电隔离中间层，其中，所述复合层与所述电隔离中间层的第一表面接触；以及

与所述电隔离中间层的第二表面接触的连续导电层，

其中，所述波长选择性结构具有：至少一个谐振频带，用于选择性地对入射电磁辐射进行反射或吸收。

2.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述复合层包括多个交替的金属或类金属层及电介质层。

3.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述电隔离中间层包括电介质层和/或半导体层。

4.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述至少一个谐振频带的位置、带宽和/或幅度被配置成：通过改变所述多个层中的一个或多个的传导性和/或折射系数来进行调谐。

5.根据权利要求4所述的波长选择性结构，其中，对所述至少一个谐振频带的位置、带宽和/或幅度进行调谐包括：将谐振频带从电磁频谱的中波红外线(MWIR)部分移动至电磁频谱的长波红外线(LWIR)部分。

6.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述复合层包括多个金属或类金属层。

7.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述复合层包括多个电介质层。

8.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述至少一个谐振频带包括多个谐振频带。

9.根据权利要求8所述的波长选择性结构，其中，所述多个谐振频带中的第一谐振频带处于电磁频谱的中波红外线(MWIR)部分中，并且所述多个谐振频带中的第二谐振频带处于电磁频谱的长波红外线(LWIR)部分中。

10.根据权利要求9所述的波长选择性结构，其中，所述多个谐振频带中的第三谐振频带处于电磁频谱的短波红外线(SWIR)部分中。

11.根据权利要求8所述的波长选择性结构，其中，所述多个谐振频带具有基本上相同的效率。

12.根据权利要求8所述的波长选择性结构，其中，所述多个谐振频带具有基本上不同的效率。

13.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述至少一个谐振频带的位置、带宽和/或幅度至少部分地基于选自由以下项组成的组中的至少一种性能：所述多个表面元件的周期性、所述多个表面元件的阵列中的缺陷、所述多个表面元件的尺寸、所述至少一个金属或类金属层和/或所述至少一个电介质层的厚度以及所述至少一个金属或类金属层和/或所述至少一个电介质层中使用的材料的性能。

14.根据权利要求13所述的波长选择性结构，其中，材料的性能包括传导性、折射系数、吸收系数和物理尺寸。

15.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述多个表面元件的第一子集具有第一尺寸和/或第一形状，并且所述多个表面元件的第二子集具有第二尺寸和/或第二形状。

16.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述多个表面元件以选自由以下项组成的组中的一个的排列进行布置：非周期阵列、周期性阵列和随机阵列。

17.根据权利要求16所述的波长选择性结构，其中，所述排列是选自由以下项组成的组的周期性阵列：矩形栅格；正方形栅格；三角形栅格；阿基米德栅格；斜栅格；居中的矩形栅格；以及六边形栅格。

18.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述多个表面元件中的每个表面元件具有选自由以下项组成的组的形状：圆形；椭圆；圆形环；矩形；正方形；方形环；三角形；多边形；六边形；八边形；平行四边形；十字形；耶路撒冷十字形；双圆形；开放的圆形环；以及开放的方形环。

19.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述多个表面元件彼此不接触。

20.根据权利要求1所述的波长选择性结构，其中，所述多个表面元件经由连接表面功件来连接。