[发明专利]发射辐射的光电子半导体组件及其制造方法

权利要求书

1.一种发射辐射的光电子半导体组件，其具有：

-辐射透射面(S)，在所述半导体组件运行中产生的光(R)穿过所述辐射透射面；

-第一阻挡层(1)，所述第一阻挡层设置在所述辐射透射面(S)的上侧上并且在那里至少局部地与所述辐射透射面(S)直接接触；

-转换元件(3)，所述转换元件设置在所述第一阻挡层(1)的背离所述辐射透射面(S)的上侧上；

-第二阻挡层(2)，所述第二阻挡层设置在所述转换元件(3)的背离所述第一阻挡层(1)的上侧上和设置在所述第一阻挡层(1)的上侧上，其中

-所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)共同地完全包围所述转换元件(3)，

-所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)局部地彼此直接接触，并且

-所述转换元件(3)包括转换波长的量子点或由转换波长的量子点构成。

2.根据上一项权利要求所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中

-所述量子点包括半导体核，所述半导体核具有转换波长的特性，

-所述半导体核由第一包覆层包围，所述第一包覆层借助无机材料形成，和

-所述第一包覆层由第二包覆层包围，所述第二包覆层借助有机材料形成。

3.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)在接触区域(12)中彼此直接接触，其中所述接触区域(12)沿横向方向(L)完全包围所述转换元件(3)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述转换元件(3)与所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)直接接触。

5.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中进入到所述转换元件(3)中的水蒸汽穿透速率最高为1×10^-3g/m²/天，优选最高为1×10^-4g/m²/天。

6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述第一阻挡层(1)和所述第二阻挡层(2)借助相同的材料形成或由相同的材料构成。

7.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述第一阻挡层(1)和/或所述第二阻挡层(2)具有最高5.0GPa的弹性模量。

8.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其具有

-发射辐射的半导体芯片(4)，和

-透射辐射的包覆体(5)，所述包覆体局部地包围所述半导体芯片(4)，其中

-所述透射辐射的包覆体(5)的背离所述半导体芯片(4)的外面包括所述辐射透射面(S)，和

-所述第一阻挡层(1)与所述包覆体(5)直接接触。

9.根据上一项权利要求所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述包覆体(5)拱曲地构成。

10.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其具有

-发射辐射的半导体芯片(4)，其中

-发射辐射的所述半导体芯片的外面包括所述辐射透射面(S)，和

-所述第一阻挡层(1)与发射辐射的所述半导体芯片(4)直接接触。

11.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其具有

-发射辐射的半导体芯片(4)，和

-壳体本体(6)，所述壳体本体具有腔室(61)，在所述腔室中设置有发射辐射的所述半导体芯片(4)，其中

-所述第一阻挡层(1)至少局部地设置在所述腔室(61)中和/或与所述壳体本体(6)直接接触。

12.根据上一项权利要求所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述腔室(61)具有背离发射辐射的所述半导体芯片(4)的开口(62)，其中所述开口(62)的面积的至少95％由所述转换元件(3)遮盖。

13.根据上两项权利要求中任一项所述的发射辐射的光电子半导体组件，其中所述第一阻挡层(1)至少部分地设置在所述腔室(61)之内。