[发明专利]脱模膜以及半导体封装体的制造方法

说明书

本发明提供在高温环境下也具有优良的防静电作用且透明性优良的脱模膜以及使用了该脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜是在模具内配置半导体元件后用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的脱模性基材(2)(其中不含防静电剂)和在树脂密封部的形成时与模具接触的防静电层(3)，防静电层(3)含有选自导电性聚合物和导电性金属氧化物中的至少一种防静电剂，总光线透射率在80％以上。

技术领域

本发明涉及在将半导体元件配置于模具内、用固化性树脂密封而形成树脂密封部的半导体封装体的制造中配置于模具的型腔面的脱模膜以及使用了该脱模膜的半导体封装体的制造方法。

背景技术

为了隔绝外部气体并进行保护，半导体元件通常由树脂密封，作为称作封装体的成形品安装于基板上。使用环氧树脂等的热固化性树脂等固化性树脂进行半导体元件的密封。作为半导体元件的密封方法，例如已知有配置安装有半导体元件的基板、使得该半导体元件位于模具的型腔内的规定部位，在型腔内填充固化性树脂后使之固化的方法，即所谓的传递成形法或压缩成形法。

以往，将封装体作为通过作为固化性树脂的流通通道的浇道(日文：ランナー)而连接的每一个元件的封装体成形品进行成形。这种情况下，为了提高封装体从模具的脱模性，多进行模具结构的调整、向固化性树脂添加脱模剂等。另一方面，针对封装体的小型化和多引脚化的要求，BGA形式和QFN形式的封装体、进一步晶圆级CSP(WL-CSP)形式的封装体正在增加。QFN形式中，为了确保托脚(日文：スタンドオフ)并防止端子部产生树脂飞边，另外在BGA形式和WL-CSP形式中，为了提高封装体从模具的脱模性，多将脱模膜配置于模具的型腔面。

通常以如下方式将脱模膜配置于模具的型腔面：将卷绕状态的长的脱模膜从放卷辊放出，以被放卷辊和收卷辊拉伸的状态供给于模具，抽真空以使其吸附于型腔面。另外，最近也将预先剪切为与模具吻合的短的脱模膜供给于模具(专利文献1)。

作为脱模膜，通常使用树脂膜。但是，所述脱模膜存在容易带电的问题。例如，将卷绕成辊状的状态的脱模膜放出进行使用时，脱模膜在剥离时产生静电，导致脱模膜带电。这种情况下，存在于制造气氛中的粉尘等异物附着于带电的脱模膜，导致封装体的形状异常(产生飞边、异物附着等)和模具污损。另外，带电的脱模膜与半导体元件接触时，存在由放电导致半导体元件破坏的可能性。尤其是将采用颗粒树脂的装置作为半导体元件密封装置的情况增多(例如专利文献2)，无法忽视由颗粒树脂产生的粉尘附着于脱模膜而引起的形状异常和模具污损。

另外，随着近年来针对封装体的薄型化和提高散热性的需求，对半导体元件进行倒装片接合并将芯片的背面露出的封装体正在逐步增加。该工艺被称作模塑底部填充(Molded Underfill；MUF)工艺。MUF工艺中，为了保护并遮蔽半导体元件，以脱模膜和半导体芯片直接接触的状态进行密封(例如专利文献3)。如果脱模膜容易带电，则剥离固化后的固化性树脂与脱模膜时，脱模膜带电，然后放电，存在破坏半导体元件的可能性。

作为对策，提出了(1)将脱模膜转移至模具之前使其从施加有高电压的电极之间通过，将离子化的空气吹附于脱模膜而除电的方法(专利文献4)；(2)使脱模膜含有炭黑而降低表面电阻值的方法(专利文献5)；(3)在构成脱模膜的基材上施涂防静电剂，进一步施涂交联型丙烯酸类粘接剂来进行交联，从而在脱模膜上设置脱模层的方法(专利文献6)等。(3)的方法中，含有季铵盐的阳离子性防静电剂的防静电性优良，因此优选作为防静电剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2009-272398号公报

专利文献2:日本专利特开2008-279599号公报

专利文献3:日本专利特开2013-123063号公报