[发明专利]离子植入工艺及设备

权利要求书

1.一种用于离子植入的离子源设备，其包括：

离子源腔室；及

在所述离子源腔室中或与所述离子源腔室相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室，

其中所述可消耗结构包括耦合到所述离子源腔室的气体输送管。

2.根据权利要求1所述的离子源设备，其中所述可消耗结构包括安置于所述离子源腔室中的结构部件。

3.根据权利要求2所述的离子源设备，其中所述结构部件包括在所述离子源腔室中的衬层。

4.根据权利要求1所述的离子源设备，其中所述固体掺杂剂源材料包括从由以下各者组成的群组中选出的掺杂剂组分：锑、铟及镓。

5.一种进行离子植入的方法，其包括：

在离子源腔室中生成离子化掺杂剂物种以用于所述离子植入，其中所述离子源腔室具有与其相关联的可消耗结构，且其中所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室以在其中进行离子化以形成所述离子化掺杂剂物种，所述方法包括使所述可消耗结构与所述反应性气体接触以用于离子化掺杂剂物种的所述生成，

其中所述可消耗结构包含耦合到所述离子源腔室的气体输送管。