[发明专利]固体摄像器件和电子装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，所述固体摄像器件在半导体基板内的受光面侧处包括：

电荷保持部，所述电荷保持部响应于入射光而产生电荷并保持所述电荷；

溢出沟道部，在所述电荷保持部处达到饱和的所述电荷被排放到所述溢出沟道部中；以及

势垒部，所述势垒部成为从所述电荷保持部向所述溢出沟道部流动的所述电荷的壁垒，

所述溢出沟道部包括低浓度溢出沟道部和高浓度溢出沟道部，所述低浓度溢出沟道部和所述高浓度溢出沟道部的杂质类型相同且杂质浓度不同，并且所述高浓度溢出沟道部和所述势垒部被形成得间隔开；

第一垂直晶体管，所述第一垂直晶体管从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面被形成，并且与所述高浓度溢出沟道部接触。

2.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，

所述电荷保持部和所述低浓度溢出沟道部的杂质类型相同且杂质浓度相等。

3.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其中，

所述第一垂直晶体管和所述势垒部被形成得间隔开。

4.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其还包括：

沟道层，所述沟道层在像素晶体管与所述电荷保持部之间从所述第一垂直晶体管沿水平方向延伸，所述像素晶体管形成于所述半导体基板上。

5.根据权利要求4所述的固体摄像器件，其中，

所述沟道层由包含与所述电荷保持部相同类型的杂质的扩散层形成。

6.根据权利要求1所述的固体摄像器件，其还包括：

阱隔离层，所述阱隔离层将所述半导体基板的阱区域之中的位于预定像素晶体管下方的下部区域与所述阱区域之中的其他区域电气隔离，并且所述阱隔离层从所述第一垂直晶体管沿水平方向延伸。

7.根据权利要求6所述的固体摄像器件，其中，

通过所述阱隔离层而被电气隔离的位于所述预定像素晶体管下方的所述下部区域的电位低于所述其他区域的电位。

8.根据权利要求6所述的固体摄像器件，其中，

所述预定像素晶体管是放大晶体管和选择晶体管。

9.根据权利要求8所述的固体摄像器件，其中，

复位电位是作为所述预定像素晶体管的所述放大晶体管的输入电压，且所述复位电位低于所述放大晶体管的漏极电压。

10.根据权利要求6所述的固体摄像器件，其中，

所述预定像素晶体管是复位晶体管。

11.根据权利要求2所述的固体摄像器件，其还包括：

第二垂直晶体管，所述第二垂直晶体管从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面被形成，并且从所述电荷保持部读取所述电荷。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的固体摄像器件，其中，

所述高浓度溢出沟道部被施加有电压，该电压高于当在所述电荷保持部中累积所述电荷时在所述电荷保持部上产生的电压。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的固体摄像器件，其中，

所述高浓度溢出沟道部被施加有电压，该电压高于当在所述电荷保持部中累积所述电荷时在所述电荷保持部上产生的电压，并且该电压是通过从所述半导体基板的与所述受光面相反的表面贯穿所述半导体基板的贯通电极而被供应的。

14.根据权利要求13所述的固体摄像器件，其中，

所述贯通电极是对应于多个像素而被形成的，并且所述贯通电极由所述多个像素共用。

15.根据权利要求1至11中任一项所述的固体摄像器件，其还包括：

控制部，所述控制部控制所述势垒部的电势。