[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，所述第III族氮化物半导体发光器件依次具有：n型半导体层；包括阱层和势垒层的具有量子阱结构的发光层，所述阱层至少包含Al；和p型半导体层，

其中所述p型半导体层通过包括以下的步骤来形成：

电子阻挡层形成步骤：用于在所述发光层上形成具有与所述势垒层相比更高的Al组成的电子阻挡层；

氮气载气供给步骤：用于向所述电子阻挡层的表面上至少供给包含氮气作为主要成分的载气；和

第二p型接触形成步骤：在所述氮气载气供给步骤之后，用于在所述电子阻挡层上形成由Al_yGa_1-yN制成的第二p型接触层，其中y满足0≤y≤0.1，

其中所述第二p型接触形成步骤使用包含氢气作为主要成分的载气来进行。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述氮气载气供给步骤在停止Al和Ga的原料气体的供给的状态下进行。

3.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中在所述氮气载气供给步骤中，进一步供给Al和Ga的原料气体，从而直接在所述电子阻挡层的上方且直接在所述第二p型接触层的下方形成由Al_xGa_1-xN制成的厚度为大于0nm且30nm以下的第一p型接触层，其中x满足0≤x≤0.1。

4.根据权利要求1至3任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述势垒层由Al_bGa_1-bN制成，其中b满足0.35≤b≤0.95；并且所述电子阻挡层由Al_zGa_1-zN制成，其中z满足b＜z≤1。

5.根据权利要求1至3任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中从所述发光层发出的光是中心波长为320nm以下的深紫外光。

6.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中从所述发光层发出的光是中心波长为320nm以下的深紫外光。

7.一种第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，所述第III族氮化物半导体发光器件依次具有：n型半导体层；包括阱层和势垒层的具有量子阱结构的发光层，所述阱层至少包含Al；和p型半导体层，

其中所述p型半导体层通过包括以下的步骤来形成：

电子阻挡层形成步骤：用于在所述发光层上形成具有与所述势垒层相比更高的Al组成的电子阻挡层；

第一p型接触形成步骤：用于直接在所述电子阻挡层上形成由Al_xGa_1-xN制成的第一p型接触层，其中x满足0≤x≤0.1，和

第二p型接触形成步骤：用于直接在所述第一p型接触层上形成由Al_yGa_1-yN制成的第二p型接触层，其中y满足0≤y≤0.1，

其中所述第一p型接触形成步骤使用包含氮气作为主要成分的载气来进行，和

所述第二p型接触形成步骤使用包含氢气作为主要成分的载气来进行。

8.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述第一p型接触层的厚度小于所述第二p型接触层的厚度。

9.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述第一p型接触层的厚度为5nm以上且30nm以下。

10.根据权利要求8所述的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，其中所述第一p型接触层的厚度为5nm以上且30nm以下。