[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的厚损伤缓冲层有效

专利信息
申请号: 201580067049.1 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN107408582B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 戴维·弗雷德里克·乔尔·卡武拉克;加布里埃尔·哈利;托马斯·P·帕斯 申请(专利权)人: 太阳能公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0475
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾丽波;井杰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 金属箔 交替的 非导电材料 太阳能电池 金属化 基板 对准 图案化金属箔 第二表面 第一表面 损伤缓冲 位置对准 粘附 穿过 图案
【说明书】:

发明描述了基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。还提供了一种方法,所述方法涉及图案化金属箔的第一表面以在所述金属箔中提供多个交替的凹槽和脊。在所述金属箔的所述凹槽中形成非导电材料区。所述金属箔位于设置在基板中或基板上方的多个交替的N型半导体区和P型半导体区上方,以提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区之间的位置对准的所述非导电材料区,并提供与所述交替的N型半导体区和P型半导体区对准的所述脊。所述金属箔的所述脊粘附至所述交替的N型半导体区和P型半导体区。在与所述非导电材料区对准的区域,所述金属箔被图案化为从所述金属箔的第二表面穿过所述金属箔。

技术领域

本公开的实施例涉及可再生能源领域,具体地讲,包括基于箔的太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲,使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结,从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域,从而在掺杂区域之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性,因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样,制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此,提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1A至图1G示出了根据本公开实施例的使用基于箔的金属化的太阳能电池制造中各个阶段的剖视图,其中:

图1A和图1B示出了太阳能电池制造中涉及图案化金属箔的一个阶段;

图1C示出了太阳能电池制造中在图1B的图案化的箔的凹槽中形成隔离区之后的一个阶段;

图1D示出了太阳能电池制造中涉及图1C的金属箔与太阳能电池耦接的一个阶段;

图1E示出了太阳能电池制造中在图1C的金属箔与图1D的太阳能电池焊接之后的一个阶段;

图1F示出了太阳能电池制造中在图1E的金属箔的多个部分电隔离之后的一个阶段;以及

图1G示出了太阳能电池制造中移除图1F的暴露的非导电材料区之后的可选阶段。

图2为根据本公开的实施例的流程图,该流程图列出了与图1A至图1G相对应的太阳能电池的制造方法中的操作。

图3示出了根据本公开的实施例的图案化的金属箔的制造中的各个阶段的剖视图。

图4为根据本公开的实施例的流程图,该流程图列出了与图3相对应的太阳能电池的制造方法中的操作。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的,并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或语境:

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