[发明专利]光调制器有效

申请号：	201580067277.9	申请日：	2015-12-08
公开（公告）号：	CN107003549B	公开（公告）日：	2019-12-10
发明（设计）人：	都筑健;龟井新;地蔵堂真	申请（专利权）人：	日本电信电话株式会社
主分类号：	G02F1/025	分类号：	G02F1/025
代理公司：	11332 北京品源专利代理有限公司	代理人：	吕琳;朴秀玉
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	平板部肋部光轴方向半导体层光波导包层相位调制部行波电极相反侧折射率基板光调制器包层的半导体
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种光调制器(300)，包括：

基板(401)、以及

所述基板上的相位调制部(311)，所述相位调制部(311)包括：光波导(323)、第一行波电极(321)、以及第二行波电极(322)，所述光波导(323)包括：第一包层(402)、半导体层(403)、以及第二包层(404)，所述半导体层(403)层叠在所述第一包层(402)上，并具有高于所述第一包层(402)的折射率，所述第二包层(404)层叠在所述半导体层(403)上，并具有低于所述半导体层(403)的折射率，

所述光调制器(300)的特征在于，

所述半导体层(403)具备：

肋部(C0)，形成于所述光波导(323)的光轴方向，作为所述光波导(323)的芯；

第一平板部(C1)，沿所述光轴方向形成于所述肋部(C0)的一侧；

第二平板部(C2)，沿所述光轴方向形成于所述肋部(C0)的另一侧；

第三平板部(C3)，沿所述光轴方向形成于所述第一平板部(C1)的与所述肋部(C0)相反侧；以及

第四平板部(C4)，沿所述光轴方向形成于所述第二平板部(C2)的与所述肋部(C0)相反侧，

所述第一平板部(C1)形成为比所述肋部(C0)和所述第三平板部(C3)薄，

所述第二平板部(C2)形成为比所述肋部(C0)和所述第四平板部(C4)薄，

当将所述肋部(C0)的厚度设为t0，将所述第一平板部(C1)的厚度设为t1，并将所述第三平板部(C3)的厚度设为t3时，厚度的关系满足不等式t0＞t3＞t1，当将所述第二平板部(C2)的厚度设为t2并将所述第四平板部(C4)的厚度设为t4时，厚度的关系满足不等式t0＞t4＞t2，

所述第三平板部(C3)的与所述第一平板部(C1)相反侧的端部为高浓度p型半导体区域(403-3)，所述第四平板部(C4)的与所述第二平板部(C2)相反侧的端部为高浓度n型半导体区域(403-4)，

所述第三平板部(C3)的所述第一平板部(C1)侧、所述第一平板部(C1)以及所述肋部(C0)的所述第一平板部(C1)侧为中浓度p型半导体区域(403-1)，所述第四平板部(C4)的所述第二平板部(C2)侧、所述第二平板部(C2)以及所述肋部(C0)的所述第二平板部(C2)侧为中浓度n型半导体区域(403-2)，

所述高浓度p型半导体区域与所述中浓度p型半导体区域的边界位于所述第三平板部内，所述高浓度n型半导体区域与所述中浓度n型半导体区域的边界位于所述第四平板部内。

2.根据权利要求1所述的光调制器(300)，其特征在于，

所述厚度的关系进一步满足不等式t0/2＞t1和不等式t0/2＞t2。

3.根据权利要求2所述的光调制器(300)，其特征在于，

所述第一行波电极(321)沿所述光轴方向形成于所述第三平板部(C3)的与所述肋部(C0)相反侧的端部的上表面，

所述第二行波电极(322)沿所述光轴方向形成于所述第四平板部(C4)的与所述肋部(C0)相反侧的端部的上表面。

4.根据权利要求1所述的光调制器，其特征在于，

所述中浓度p型半导体区域(403-1)与所述中浓度n型半导体区域(403-2)的接合部为pn结结构。

5.根据权利要求1所述的光调制器(300)，其特征在于，

所述中浓度p型半导体区域(403-1)与所述中浓度n型半导体区域(403-2)的接合部为：在所述中浓度p型半导体区域(403-1)与所述中浓度n型半导体区域(403-2)之间进一步夹有无掺杂的i型半导体区域的pin结结构。

6.根据权利要求2所述的光调制器(300)，其特征在于，

当将所述第一平板部(C1)的宽度设为w1并将所述第二平板部(C2)的宽度设为w2时，所述w1的值满足不等式60nm＜w1＜600nm，所述w2的值满足不等式60nm＜w2＜600nm。