[发明专利]磁性扇区质谱仪磁体的控制有效
申请号: | 201580067383.7 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN107112194B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | J·杰斯舒克;M·迪亚博格;H-J·舒吕特 | 申请(专利权)人: | 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 |
主分类号: | H01J49/00 | 分类号: | H01J49/00;H01J49/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 扇区 质谱仪 磁体 控制 | ||
技术领域
本发明涉及磁性扇区质谱仪磁体的控制。确切地说,其涉及用于磁体的闭合回路控制的电路和方法。
背景技术
磁性扇区质量分析仪是一种众所周知的质谱仪,用于跨越相对宽质量范围的离子的高分辨率分析。离子在加速电压U0的影响下加速穿过飞行管,它们在飞行时间分离。加速过程结束时离子的动能mv2/2是由加速场施加的能量的结果,z.U0;因此
随着移动的离子进入由磁体产生的磁场,特定质荷比m/z的带电离子沿着唯一半径rm的圆形路径在垂直于所施加磁场的方向的方向上偏转。如将众所周知,归因于磁场(z.v.B,其中z为离子电荷,v为离子速度,且B为磁场强度)的力平衡向心力mv2/rm。
重新布置v且代入到以上等式中产生:
换句话说,针对给定磁通量密度B且当加速到特定电位U0时,特定质荷比的离子将遵循半径rm的弯曲路径。
在扇区质量分析仪中,离子源、加速器区、磁体和检测器的相对位置是固定的。因此,特定物质的离子将仅在特定B和U0处到达检测器(而非(例如)分析仪的壁)。
为了检测特定质量,有必要高度准确地控制(即,保持稳定)磁场。当然,加速电位U0也必须保持恒定,但此相对简单;从以上等式还注意到,离子到达检测器时离子的位置(与rm相关)与B-1成比例,但对U0的改变不太敏感,因为rm取决于U0的平方根。
U0和B两者可原则上变化以扫描跨越检测器的多个离子物质。然而,优选地,对于特定实验,U0保持恒定,而B改变。这主要是因为,在磁性扇区质量分析仪中,离子的焦点随着U0改变,且需要离子束保持聚焦在检测器上。
此项技术中已知通过适当传感器测量磁体产生的通量密度,且使用此信号调节磁场。参看例如US-A-3,597,679。适当传感器通常为霍耳效应传感器或场探针。
典型设置在图1中展示。使用场探针10等测量磁体内的通量密度。从场探针10输出的模拟信号放大且接着连接到运算放大器20的第一输入。在微控制器30处产生设定值作为数字信号,且在DAC 40处将其转换为模拟信号。DAC 40的输出连接到运算放大器20的第二输入使得(模拟)测得的通量密度可与模拟设定点进行比较。
运算放大器20的输出在功率放大器50中放大,且功率放大器50输出用于控制供应到磁性扇区质谱仪中的磁体的电流。场探针10测得的磁通量密度可因此用于控制设定值,并且,以此方式,实现模拟闭合回路反馈控制。此外,运算放大器的比例-积分-微分(PID)控制(和原则上测得的通量密度的放大)是可能的。
尽管图1的布置中可实现的磁通量密度的步进分辨率受到DAC 40的分辨率限制,但一个DAC步阶内磁通量的稳定性可高得多,这(例如)取决于运算放大器20和电子器件的其它部分。
磁性扇区质谱法的主要用途是确定样本中已知要素的丰度(与(例如)或TOF质谱法形成对比,或TOF质谱法通常寻求识别样本中的未知要素,或确认或反驳特定物质或(更通常地)物质群组的存在)。这是为何磁场的最大稳定性合乎需要:给定U0处的极恒定磁场将确保特定m/z的离子(且仅具有所述特定m/z的离子)恰当地聚焦在检测器上,且随着时间的过去而保持如此。因此,磁场稳定性与仪器分辨率直接关联;对于两个邻近质量的离子,辨别它们的能力(即,测量一个物质,而不测量另一物质)将是磁场稳定性的结果。对于约20,000的仪器分辨率,磁通量密度的标准偏差需要在一小时内稳定在3ppm内。对于50,000的仪器分辨率,磁通量密度的标准偏差需要在一小时内稳定在1ppm内。更高的分辨率将是合乎需要的。
除极稳定静止磁场的要求外,还需要扇区分析仪的磁体能够在两个稳定磁通量密度值之间跳跃,以便测量两个不同离子物质的强度(量)。跳跃应尽可能快速,同时跳跃之后磁体内的磁通量密度出于上文阐述的原因必须稳定。此尤其苛刻,因为磁体材料内磁域的再定向由相对缓慢的时间常数支配。
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