[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物绝缘体；

与所述第一氧化物绝缘体接触的氧化物半导体；

与所述氧化物半导体接触的第二氧化物绝缘体；

与所述第二氧化物绝缘体接触的第三氧化物绝缘体；

所述第三氧化物绝缘体上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的第一导电体；以及

所述第一导电体上的第三绝缘体,

其中，所述第一氧化物绝缘体及所述第二氧化物绝缘体的导带底能级比所述氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，

所述第三氧化物绝缘体的导带底能级比所述第二氧化物绝缘体的所述导带底能级更近于所述真空能级，

并且，通过热脱附谱分析测量的从所述第一绝缘体脱离的氧分子量为1.0×10¹⁴molecules/cm²以上且1.0×10¹⁶molecules/cm²以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

与所述第二氧化物绝缘体及所述第三氧化物绝缘体接触的第二导电体及第三导电体，

其中所述第一导电体的一部分不与所述第二导电体及所述第三导电体重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

与所述氧化物半导体及所述第二氧化物绝缘体接触的第二导电体及第三导电体，

其中所述第一导电体的一部分不与所述第二导电体及所述第三导电体重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第三氧化物绝缘体包括元素M(钛、镓、钇、锆、镧、铈、钕、锡或铪)、锌及氧。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第二导电体及所述第三导电体都具有叠层结构，

并且所述第二导电体及所述第三导电体的上侧的层包括选自银、铜、钌、铱、铂及金中的一种以上的元素。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述第二导电体及所述第三导电体都具有叠层结构，

并且所述第二导电体及所述第三导电体的上侧的层包括选自银、铜、钌、铱、铂及金中的一种以上的元素。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第四导电体；以及

第四绝缘体，

其中所述第四导电体被形成在所述衬底上且在所述第一绝缘体下方，

所述第四绝缘体被形成在所述第四导电体与所述第一绝缘体之间，

并且所述第四绝缘体是包括硼、铝、硅、钪、钛、镓、钇、锆、铟、镧、铈、钕、铪或铊的氧化物或氮化物。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物绝缘体、所述氧化物半导体及所述第二氧化物绝缘体各包括铟、元素M(钛、镓、钇、锆、镧、铈、钕、锡或铪)、锌及氧。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第三绝缘体包括氧及铝。

10.一种半导体装置，包括：

衬底上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的第一氧化物绝缘体；

与所述第一氧化物绝缘体接触的氧化物半导体；

与所述氧化物半导体接触的第二氧化物绝缘体；

与所述第二氧化物绝缘体接触的第三氧化物绝缘体；

所述第三氧化物绝缘体上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的第一导电体；以及

所述第一导电体上的第三绝缘体,

其中，所述第一氧化物绝缘体及所述第二氧化物绝缘体的能隙比所述氧化物半导体的能隙大，

所述第三氧化物绝缘体的能隙比所述第二氧化物绝缘体的所述能隙大，

并且，通过热脱附谱分析测量的从所述第一绝缘体脱离的氧分子量为1.0×10¹⁴molecules/cm²以上且1.0×10¹⁶molecules/cm²以下。