[发明专利]用于电子束直写（EBDW）光刻的下方吸收或传导层

权利要求书

1.一种使用电子束工具图案化抗蚀剂层的方法，所述方法包括：

在下方吸收或传导层上提供具有抗蚀剂层的晶片；以及

执行电子束直写光刻以用入射电子图案化所述抗蚀剂层，其中，所述吸收或传导层吸收、反射或传导出大部分所述入射电子，以减少反向散射。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：铬(Cr)层、硅化钼(MoSi)层、氮化钛(TiN)层、氮化钽(TaN)层、硅(Si)层、诸如石墨烯层之类的碳旋涂层、CVD沉积的碳层、旋涂玻璃层、钨(W)层、铜(Cu)层、钴(Co)层、氮化硅(SiN)层、碳化硅(SiC)层和二氧化硅(SiO₂)层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：钌(Ru)层、钛(Ti)层、镍(Ni)层、铝(Al)层、铪(Hf)层、钽(Ta)层、锆(Zr)层或其合金层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是单一材料层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是多个材料层的叠置体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层具有的厚度大约在1-200纳米的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片进一步提供有上部电荷耗散层，所述上部电荷耗散层设置在所述抗蚀剂层上方。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在执行电子束直写光刻后，显影所述抗蚀剂层并蚀刻所述吸收或传导层以及位于所述吸收或传导层下方的层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述电子束直写光刻包括使用大约在10kEV至200kEV范围内的电子束，其中电流大约在几uC/cm²至几百uC/cm²的范围内。

10.一种使用电子束工具图案化抗蚀剂层的方法，所述方法包括：

在下方吸收或传导层上提供具有抗蚀剂层的晶片；以及

执行电子束直写光刻以用入射电子图案化所述抗蚀剂层，其中，所述吸收或传导层吸收、反射或传导大部分所述入射电子以调节反向散射。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：铬(Cr)层、硅化钼(MoSi)层、氮化钛(TiN)层、氮化钽(TaN)层、硅(Si)层、诸如石墨烯层之类的碳旋涂层、CVD沉积的碳层、旋涂玻璃层、钨(W)层、铜(Cu)层、钴(Co)层、氮化硅(SiN)层、碳化硅(SiC)层和二氧化硅(SiO₂)层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是选自于由以下各项构成的组中的材料层：钌(Ru)层、钛(Ti)层、镍(Ni)层、铝(Al)层、铪(Hf)层、钽(Ta)层、锆(Zr)层或其合金层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是单一材料层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层是多个材料层的叠置体。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或传导层具有的厚度大约在1-200纳米的范围内。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述晶片进一步提供有上部电荷耗散层，所述上部电荷耗散层设置在所述抗蚀剂层上方。

17.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在执行所述电子束直写光刻后，显影所述抗蚀剂层并蚀刻所述吸收或传导层以及位于所述吸收或传导层下方的层。

18.根据权利要求10所述的方法，其中，执行所述电子束直写光刻包括使用大约在10kEV至200kEV范围内的电子束，其中电流大约在几uC/cm²至几百uC/cm²的范围内。