[发明专利]低剖面加强层叠封装半导体器件

权利要求书

1.一种层叠封装半导体器件，包括：

第一半导体封装，所述第一半导体封装包括：

阳极化金属盖结构，其包括(i)具有中央空腔开口方向的中央空腔和(ii)具有面对与所述中央空腔开口方向相反的方向的周界空腔开口方向的至少一个周界空腔；

布置在所述阳极化金属盖结构的所述中央空腔中的第一半导体器件；

电耦合到所述第一半导体器件的重分布层，其中形成在所述重分布层中的导电迹线向所述至少一个周界空腔曝露；以及

布置在所述至少一个周界空腔中的焊料材料；以及

第二半导体封装，所述第二半导体封装包括至少一个导电桩，其中所述至少一个导电桩电耦合到布置在所述至少一个周界空腔中的所述焊料材料。

2.如权利要求1所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，所述阳极化金属盖结构进一步包括配置成容适电荷从形成在所述重分布层中的所述导电迹线向所述焊料材料的转移的孔洞。

3.如权利要求1所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，所述第一半导体器件用第一接合剂接合到所述中央空腔的表面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述重分布层是光刻重分布层。

5.如权利要求1所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，进一步包括焊球，所述焊球在所述重分布层的与所述半导体器件被耦合到的所述重分布层的那侧相反的一侧上被耦合到所述重分布层。

6.如权利要求1所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，所述第二半导体封装是用第二接合剂来接合到所述第一半导体封装的。

7.如权利要求6所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，所述第二半导体封装被压缩接合到所述第一半导体封装。

8.如权利要求6所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，所述第二半导体封装的第二半导体器件经由所述至少一个导电桩和所述焊料材料被电耦合到所述第一半导体封装的所述第一半导体器件。

9.如权利要求1所述的层叠封装半导体器件，其特征在于，所述层叠封装半导体具有600μm到800μm的高度。

10.一种包括如权利要求1所述的层叠封装半导体器件的设备，所述设备选自包括机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理、固定位置数据单元和计算机的组。

11.一种制造层叠封装半导体器件的方法，包括：

形成阳极化金属盖结构，其中形成所述阳极化金属盖结构包括：

在所述阳极化金属盖结构中定义具有中央空腔开口方向的中央空腔；以及

在所述阳极化金属盖结构中定义具有周界空腔开口方向的至少一个周界空腔，其中所述周界空腔开口方向面向与所述中央空腔开口方向相反的方向；

将第一半导体器件放置在所述阳极化金属盖结构的所述中央空腔中；

提供第一半导体封装，其中提供所述第一半导体封装包括将所述第一半导体器件电耦合到重分布层，以及形成在所述重分布层中形成的导电迹线，从而所述导电迹线向所述至少一个周界空腔曝露；

用焊料材料填充所述至少一个周界空腔的至少一部分；以及

通过将至少一个导电桩耦合到所述焊料材料来将具有所述至少一个导电桩的第二半导体封装耦合到所述第一半导体封装。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述阳极化金属盖结构进一步包括：

在金属板中形成孔洞；以及

阳极化所述金属板。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，将所述第一半导体器件放置到所述中央空腔中包括用第一接合剂将所述第一半导体器件接合到所述中央空腔。