[发明专利]芯片和芯片夹的安装方法有效
| 申请号： | 201580068422.5 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107431019B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | O·卡什列夫;E·博施曼 | 申请（专利权）人： | 爱法组装材料公司;先进封装中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 安装 方法 | ||
1.一种芯片和芯片夹的安装方法，包含：
提供芯片夹、芯片和基板；
在该芯片夹和该芯片上层压可烧结银膜；
将粘剂堆积到该基板上；
将该芯片放置到该基板上；
将该芯片夹放置到该芯片和该基板上，从而形成基板-芯片-芯片夹组合件；以及
烧结该基板-芯片-芯片夹组合件，
其中，将该粘剂涂抹在该基板上从而在将该基板-芯片-芯片夹组合件的元件移动到烧结机之前将该基板-芯片-芯片夹组合件的元件放置并固定到位置上，
其中，该粘剂将该芯片和该芯片夹临时安装到该基板上，并且
其中，在该基板、芯片和芯片夹的烧结过程中，该粘剂蒸发，同时并不干涉烧结过程。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对该可烧结银膜的层压包括采用0.5-20MPa的压力、100-200℃的温度、1秒至90秒的持续时间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，对该可烧结银膜的层压包括采用2MPa或更大的压力、130℃的温度和30秒的持续时间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，该芯片独立层压或作为整体晶片层压再切割。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，该芯片夹独立层压或以铜片的形式层压再切割或压印。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在能够提供特定压力和温度的层压机中或在芯片粘合机中完成对该可烧结银膜的层压。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，将层压的该芯片收集并储存在窝伏尔组件中或切割带上。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，将层压的该芯片夹收集并储存在带、盘或窝伏尔组件上。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过芯片粘合机将该芯片放置到该基板上，并通过该粘剂将该芯片固定到位置上。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过夹取放置机或环氧芯片粘合机将该芯片夹放置到该基板上，并通过该粘剂将该芯片夹固定到位置上。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，对该基板、芯片和芯片夹的烧结包括具有压力工具和热板的烧结机。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，烧结包括采用3-25MPa的压力和190-300℃的温度以及1-180秒的持续时间。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，烧结包括采用10MPa的压力和250℃的温度以及60秒的持续时间。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括多个芯片夹，其中，将该芯片夹以连接到该基板的基体的形式与该可烧结银膜层压在一起。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，该芯片夹之间的间隔与位于该基板上的该芯片相适应。
16.通过权利要求1所述的方法形成的焊接接头。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
