[发明专利]用于金属和金属合金的化学镀的镀浴组合物有效
申请号: | 201580068458.3 | 申请日: | 2015-12-04 |
公开(公告)号: | CN107002241B | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 海科·布鲁纳;拉尔斯·科尔曼;森居尔·卡拉沙欣;马蒂亚斯·达姆马斯基;西蒙·帕佩;桑德拉·卢克斯 | 申请(专利权)人: | 埃托特克德国有限公司 |
主分类号: | C23C18/34 | 分类号: | C23C18/34;C23C18/40;C23C18/48;C07C229/12;C07C237/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 吴润芝;郭国清 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学镀 金属合金 衬底 镀浴 可用 添加剂 金属或金属合金 金属 印刷电路板 凹陷结构 金属化 沉积 半导体 应用 | ||
1.一种用于沉积铜、镍、钴或其合金的化学镀浴,其包含至少一种金属离子源和至少一种还原剂,特征在于所述化学镀浴还包含根据式(I)的镀速调节剂:
其中单价残基R1至R2、端基Y和二价间隔基团Z以及标记n选自:
-R1选自–O-R3和–NH-R4,其中R3选自氢、锂、钠、钾、铷、铯、铵、烷基、芳基,并且R4选自氢、烷基和芳基;
-R2选自氢、烷基、烷基芳基和芳基;
-Y选自其中单价残基R1’选自–O-R3’和–NH-R4’,其中R3’选自氢、锂、钠、钾、铷、铯、铵、烷基、芳基,R4’选自氢、烷基和芳基,并且单价残基R2’选自氢、烷基、烷基芳基和芳基,n’是1至2范围内的整数;
-Z是其中R5至R8是无支链饱和亚烷基残基,其中在每种情况下键合到所述无支链饱和亚烷基残基的各个氢任选地被选自烷基、芳基和羟基(-OH)的官能团取代;其中p是1至100范围内的整数,q是0至99范围内的整数,r是0至99范围内的整数,s是0至99范围内的整数,前提是(p+q+r+s)之和在1至100的范围内;并且
-n是1至2范围内的整数。
2.根据权利要求1的化学镀浴,其特征在于Y是
3.根据权利要求1或2的化学镀浴,其特征在于所述镀速调节剂中的残基R5至R8是无支链饱和C1-至C6-亚烷基残基,其中在每种情况下键合到所述无支链饱和亚烷基残基的各个氢任选地被选自烷基、芳基和羟基的官能团取代。
4.根据权利要求1或2的化学镀浴,其中所述镀速调节剂中的残基R5至R8选自乙烷-1,2-二基(-CH2–CH2-)、丙烷-1,2-二基(-CH(CH3)-CH2-)、丁烷-1,2-二基(-CH(CH2-CH3)–CH2-)和2-羟基丙烷-1,3-二基(-CH2–CH(OH)–CH2-)。
5.根据权利要求1或2的化学镀浴,其特征在于所述根据式(I)的镀速调节剂以0.1至1500μmol/l的浓度包含在所述化学镀浴中。
6.根据权利要求1或2的化学镀浴,其中所述金属离子源选自水溶性铜、镍和钴化合物。
7.根据权利要求6的化学镀浴,其中所述水溶性铜、镍和钴化合物选自水溶性铜、镍和钴盐。
8.根据权利要求1或2的化学镀浴,其中所述化学镀浴还包含稳定剂。
9.根据权利要求6的化学镀浴,其中所述金属离子源选自水溶性镍化合物,并且所述还原剂选自次磷酸盐化合物、基于硼的还原剂、甲醛、肼及其混合物。
10.根据权利要求9的化学镀浴,其中所述水溶性镍化合物选自水溶性镍盐。
11.根据权利要求6的化学镀浴,其中所述金属离子源选自水溶性钴化合物,并且其中所述还原剂选自次磷酸盐化合物、基于硼的还原剂、甲醛、肼及其混合物。
12.根据权利要求11的化学镀浴,其中所述水溶性钴化合物选自水溶性钴盐。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理