[发明专利]用于制造具有三维磁结构的器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造具有三维磁结构(132)的器件(120)的方法(100)，所述方法包括以下步骤：

将磁性粒子(130)施加或引入(102)到载体元件(122)上或载体元件(122)中，其中在所述磁性粒子(130)之间形成多个至少部分互连的空腔，并且所述磁性粒子(130)在接触点处彼此接触；

通过对磁性粒子(130)和载体元件(122)的布置进行涂覆而连接(104)接触点处的磁性粒子(130)，其中所述空腔至少部分地被涂覆时产生的层渗透，得到三维磁结构(132)；以及

在所述载体元件(122)或附加载体元件(122’)上提供(106)导体环路布置(124)，使得：

-当电流流经导体环路布置(124)时，导体环路布置(124)的电感被三维磁结构(132)改变；或

-当电流流经导体环路布置(124)时，由电流引起的磁场使得力作用在三维磁结构(132)或导体环路布置(124)上；或

-当三维磁结构(132)的位置改变一次或周期性地改变时，通过导体环路布置(124)感生电流。

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，将磁性粒子(130)施加或引入(102)到所述载体元件(122)上或所述载体元件(122)中使得所述导体环路布置(124)至少部分地包围所述磁性粒子(130)或所述磁性粒子(130)至少部分地包围所述导体环路布置(124)。

3.根据权利要求2所述的方法(100)，其中所述载体元件(122)包括所述导体环路布置(124)的区域中的空腔(128)，并且所述磁性粒子(130)被引入到所述空腔(122)中，使得所述导体环路布置(124)至少部分地包围所述磁性粒子(130)或所述磁性粒子(130)至少部分地包围所述导体环路布置(124)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法(100)，其中，当提供(106)所述导体环路布置(124)时，提供多个相互绝缘的导体环路布置，其中施加或引入(102)所述磁性粒子(130)使得所述多个导体环路布置通过所述磁性粒子(130)彼此电感地耦合。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法(100)，其中，所述导体环路布置(124)被设置在所述附加载体元件(122’)上，其中所述载体元件(122)和所述附加载体元件(122’)通过弹簧元件(150)彼此耦合，使得载体元件(122)和附加载体元件(122’)之间的相对偏转是由电流引起的磁场导致的作用在三维磁结构(132)上的力所引起的。

6.根据权利要求5所述的方法(100)，其中，所述载体元件(122)被布置为可移动的，而所述附加载体元件(122’)被布置为固定的。

7.根据权利要求5所述的方法(100)，其中，所述附加载体元件(122’)被布置为可移动的，而所述载体元件(122)被布置为固定的。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法(100)，其中对磁性粒子(130)和载体元件(122)的布置进行涂覆还包括以下步骤：

沉积磁性层。

9.根据权利要求8所述的方法(100)，其中对磁性粒子(130)和载体元件(122)的布置进行涂覆还包括以下步骤：

沉积氧化形式的磁性材料以获得磁性层。

10.根据权利要求8所述的方法(100)，其中对磁性粒子(130)和载体元件(122)的布置进行涂覆还包括以下步骤：

沉积氧化形式的磁性材料；以及

还原氧化形式的磁性材料以获得磁性层。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法(100)，其中对磁性粒子(130)和载体元件(122)的布置进行涂覆还包括以下步骤：

在沉积磁性层之前或之后，沉积电介质层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法(100)，其中磁性粒子(130)和载体元件(122)的布置的涂覆是通过CVD方法、原子层沉积或原子气相沉积执行的。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法(100)，其中所述磁性粒子(130)包括软磁材料和/或硬磁材料。