[发明专利]离子化装置和包含离子化装置的质谱仪

权利要求书

1.离子化装置(1)，包含：

等离子体产生装置(4)，在初级等离子体区(9)中产生离子化气体(6)的亚稳粒子(6a)和/或离子(6b)；

场产生装置(13)，在次级等离子体区(10)中产生辉光放电(12)；

进气口，将待离子化的气体(3)供应至该次级等离子体区(10)；以及

另一进气口，将所述离子化气体(6)的亚稳粒子(6a)和/或离子(6b)供应至该次级等离子体区(10)。

2.如权利要求1的离子化装置，其中该场产生装置(13)实施为在该进气口与该另一进气口之间产生电场(E)，从而在该次级等离子体区(10)中产生该辉光放电(12)。

3.如权利要求2的离子化装置，其中该场产生装置(13)具有电压源(15)和两个电极，从而产生该电场(E)。

4.如权利要求3的离子化装置，其中该进气口形成所述两个电极中的第一电极且该另一进气口形成所述两个电极中的第二电极，从而产生该电场(E)。

5.如权利要求4的离子化装置，其中该电压源(15)实施为在该第一电极(2)与该第二电极之间产生介于50V至5000V之间的电压(V)。

6.如上述权利要求中任一项的离子化装置，还包含：排气口(16)，其从该离子化装置(1)排放离子化的气体(3a、3a′)。

7.如权利要求6的离子化装置，其中该场产生装置(13)实施为在该另一进气口与该排气口(16)之间产生另一电场(E′)。

8.如权利要求7的离子化装置，其中该排气口(16)形成另一电极，从而产生该另一电场(E′)。

9.如权利要求6的离子化装置，其中该离子化装置(1)的进气口、次级等离子体区(10)和排气口(16)沿着公共轴(22)设置。

10.如权利要求1至5中任一项的离子化装置，还包含：泵出装置(19)，其具有另一排气口，用于将该待离子化的气体(3)、该离子化气体(6)的亚稳粒子(6a)和/或该离子化气体(6)的离子(6b)从该次级等离子体区(10)中泵出。

11.如权利要求10的离子化装置，其中该另一进气口和该另一排气口沿着另一公共轴(23)设置。

12.如权利要求1至5中任一项的离子化装置，其中该场产生装置(13)实施为在该次级等离子体区(10)中产生至少一个磁场(M1、M2)。

13.如权利要求12的离子化装置，其中所述至少一个磁场(M1、M2)是时间相关的。

14.如权利要求12的离子化装置，其中该场产生装置(13)实施为产生沿着公共轴(22)或沿着另一公共轴(23)对准的磁场(M1、M2)。

15.如权利要求1至5中任一项的离子化装置，还包含：腔室(25)，其设置于该离子化装置(1)的初级进气口(24)与该进气口之间，用于在将待离子化的气体(3)供应至该次级等离子体区(10)前，处理该待离子化的气体(3)。

16.如权利要求1至5中任一项离子化装置，其中在该初级等离子体区(9)中的压强(p₁)大于在该次级等离子体区(10)中的压强(p)。

17.如权利要求1至5中任一项的离子化装置，其中在该初级等离子体区(9)中的压强(p₁)介于100mbar至1000mbar之间。