[发明专利]具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板

权利要求书

1.一种显示设备，包括：

限定有第一区域和第二区域的基板；

设置在所述第一区域中的低温多晶硅层；

设置在所述第一区域中的低温多晶硅层上的第一绝缘层；

设置在所述第一区域和所述第二区域中的金属氧化物层，所述第一区域中的金属氧化物层设置在所述第一绝缘层上；

设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二绝缘层，所述第一区域中的第二绝缘层具有用于暴露下方的低温多晶硅层的至少一部分的接触孔，并且所述第二区域中的第二绝缘层布置在所述金属氧化物层上，以暴露通过由所述第二绝缘层覆盖的部分分开的金属氧化物层的至少两个部分；

位于所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层，所述第一区域中的第一金属层与所述低温多晶硅层的暴露部分接触，并且所述第二区域中的第一金属层通过下方的第二绝缘层与所述金属氧化物层绝缘；

覆盖所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层的第三绝缘层；

设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二金属层，所述第一区域中的第二金属层经由穿过所述第三绝缘层的接触孔与所述第一金属层接触，并且所述第二区域中的第二金属层经由穿过所述第三绝缘层的接触孔与所述金属氧化物层接触；和

设置在所述第一区域和所述第二区域中并且在所述第二金属层上方的第四绝缘层，其中所述第一区域中的金属氧化物层具有比所述第二区域中的由所述第二绝缘层覆盖的金属氧化物层的部分高的导电率，

其中所述低温多晶硅层充当低温多晶硅TFT的有源层，并且所述第二区域中的金属氧化物层充当氧化物TFT的有源层。

2.根据权利要求1所述的显示设备，还包括位于所述第四绝缘层上的第三金属层，所述第三金属层经由穿过所述第四绝缘层的接触孔与所述第一区域中的第二金属层或所述第二区域中的第二金属层接触。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一区域中的金属氧化物层充当所述低温多晶硅TFT的栅极电极。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二绝缘层充当所述第一区域中的低温多晶硅TFT的层间介电层并且充当所述第二区域中的氧化物TFT的栅极绝缘层。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中插入在所述第二区域中的第一金属层与金属氧化物层之间的第二绝缘层比设置在所述第一区域中的第二绝缘层薄。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一金属层提供所述第一区域中的低温多晶硅TFT的源极电极和漏极电极，并且所述第一金属层提供所述第二区域中的氧化物TFT的栅极电极。

7.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第三绝缘层充当所述第一区域中的低温多晶硅TFT的钝化层并且充当所述第二区域中的氧化物TFT的层间介电层。

8.根据权利要求2所述的显示设备，其中与所述第二金属层接触的所述第三金属层是有机发光元件的阳极。

9.根据权利要求2所述的显示设备，其中与所述第二金属层接触的所述第三金属层是信号线。

10.一种显示器，包括：

TFT阵列，包括至少一个氧化物TFT和至少一个低温多晶硅TFT，其中所述至少一个氧化物TFT的有源层和所述至少一个低温多晶硅TFT的栅极电极由一金属氧化物层制成，

其中所述低温多晶硅TFT中的金属氧化物层具有比所述氧化物TFT中的由绝缘层覆盖的金属氧化物层的部分高的导电率。

11.根据权利要求10所述的显示器，其中所述至少一个低温多晶硅TFT的层间介电层和所述至少一个氧化物TFT的栅极绝缘层由同一绝缘层制成。

12.根据权利要求11所述的显示器，其中所述至少一个低温多晶硅TFT的源极/漏极电极和所述至少一个氧化物TFT的栅极电极由同一金属层制成。