[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法

权利要求书

1.一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于该窗层兼支持基板上的发光部，该发光部依序包含有第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，其中

该第一半导体层上设置有第一奥姆电极，该第一半导体层的表面以及该发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，该第一半导体层的表面以及该窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及

该第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中经施以表面粗糙化处理侧的层与活性层侧的层相比由Al成分较少的材料所构成,

该第一半导体层的经施以表面粗糙化处理侧的层由(Al_xGa_l-x)_yIn_1-yP所构成，其中0≦x＜0.6、0.4≦y≦0.6，或是由Al_zGa_l-zAs所构成，其中0≦z≦0.3；且

该第一半导体层的活性层侧的层由(Al_xGa_l-x)_yIn_1-yP所构成，其中0.6≦x≦1、0.4≦y≦0.6，或是由Al_zGa_l-zAs所构成，其中0.3＜z≦1。

2.如权利要求1所述的发光组件，其中该发光组件具有：

经除去该发光部的一部分的除去部；

该除去部以外的非除去部；

设置于该非除去部的该第一半导体层上的该第一奥姆电极；以及

设置于该除去部的该窗层兼支持基板上或该第二半导体层上的第二奥姆电极。

3.一种发光组件的制造方法，包含：

发光部形成步骤，于基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料通过磊晶成长而将第一半导体层、活性层、第二半导体层依此顺序成长而形成发光部；

窗层兼支持基板形成步骤，于该发光部之上以对该基板为非晶格匹配系的材料通过磊晶成长而形成窗层兼支持基板；

除去步骤，于该窗层兼支持基板形成步骤之后，除去该基板；

第一奥姆电极形成步骤，于该第一半导体层上形成第一奥姆电极；

第一表面粗糙化处理步骤，于该第一半导体层的表面进行表面粗糙化处理；

组件分离步骤，形成除去该发光部的一部分的除去部以及其以外的非除去部；

第二奥姆电极形成步骤，于经除去该发光部的窗层兼支持基板上形成第二奥姆电极；

覆盖步骤，以绝缘保护膜覆盖该第一半导体层表面以及该发光部的侧面的至少一部分；以及

第二表面粗糙化处理步骤，表面粗糙化该窗层兼支持基板的表面以及侧面，

其中形成该发光部的步骤中，

该第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，经施以表面粗糙化处理侧的层与活性层侧的层相比，由Al成分较少的材料构成而形成。

4.如权利要求3所述的发光组件的制造方法，其中

经施以该第一半导体层的表面粗糙化处理侧的层设为(Al_xGa_l-x)_yIn_1-yP，其中0≦x＜0.6、0.4≦y≦0.6，或是Al_zGa_l-zAs，其中0≦z≦0.3；以及

该第一半导体层的活性层侧的层设为(Al_xGa_l-x)_yIn_1-yP，其中0.6≦x＜≦、0.4≦y≦0.6，或是Al_zGa_l-zAs，其中0.3＜z≦1。

5.如权利要求3或4所述的发光组件的制造方法，其中

在该第一表面粗糙化处理步骤中，使用有机酸与无机酸的混合液而进行，该有机酸包含：柠檬酸、丙二酸、甲酸、乙酸及酒石酸中的任一种以上，该无机酸包含：盐酸、硫酸、硝酸及氢氟酸中的任一种以上；以及

在该第二表面粗糙化处理步骤中，使用包含有机酸与无机酸的混合液而进行，该有机酸包含：柠檬酸、丙二酸、甲酸、乙酸及酒石酸中的任一种以上，且该无机酸包含：盐酸、硫酸、硝酸及氢氟酸之中的任一种以上，且该混合液包含碘。